[发明专利]具有由纳米粒子混合物形成的模板层的垂直磁记录磁盘

权利要求书

1.一种分层纳米粒子结构，包括：

基板；以及

基板上的纳米粒子层，所述纳米粒子层包括多个第一纳米粒子和多个第二纳米粒子，每个纳米粒子包括具有附接的聚合物配位体的核，其中所述第一纳米粒子具有实质上相同的尺寸，所述第二纳米粒子具有实质上相同且不同于所述第一纳米粒子的尺寸。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述第一纳米粒子核具有不同于所述第二纳米粒子核的尺寸。

3.如权利要求1所述的结构，其中所述第一纳米粒子和第二纳米粒子的核是相同的，而附接至所述第一纳米粒子的所述聚合物配位体的分子量与附接至所述第二纳米粒子的所述聚合物配位体的分子量不同。

4.如权利要求1所述的结构，其中所述第二纳米粒子包括第一纳米粒子和第二纳米粒子的总体的大于或等于5％以及小于或等于35％的比例。

5.如权利要求1所述的结构，其中所述第二纳米粒子包括第一纳米粒子和第二纳米粒子的总体的大于或等于55％以及小于或等于90％的比例。

6.如权利要求1所述的结构，其中所述第二纳米粒子具有大于或等于所述第一纳米粒子的直径的百分之105的直径。

7.如权利要求1所述的结构，其中所述纳米粒子层实质上是单层。

8.如权利要求1所述的结构，其中所述第一纳米粒子核和第二纳米粒子核从铁氧化物(Fe₃O₄)、CdSe、CdTe、PbSe、FePt、Si、ZnO、Au、Ru、Cu、Ag、Co、Pt和钒氧化物(VO_x)中选择；其中所述第一纳米粒子聚合物配位体和第二纳米粒子聚合物配位体从聚苯乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚硅氧烷、聚异戊二烯、聚丁二烯、聚丙二醇和聚乙二醇中选择。

9.如权利要求1所述的结构，其中所述第一纳米粒子核和第二纳米粒子核的每个具有小于10％的纳米粒子核直径分布。

10.如权利要求1所述的结构，其中所述基板是磁盘，所述纳米粒子层是模板层，并且进一步包括在所述模板层上的底层和在所述底层上的垂直磁记录层，所述磁记录层包括粒状铁磁材料的层以及一个或多个非磁性隔离物。

11.如权利要求10所述的结构，其中所述底层从Ru和Ru合金中选择，其中所述粒状铁磁材料是Co合金，且其中所述非磁性隔离物从Si、Ta、Ti、Nb、B、C和W的一个或多个的一个或多个氧化物中选择。

12.如权利要求10所述的结构，其中所述第一纳米粒子和第二纳米粒子的核是Fe₃O₄核，附接至所述第一纳米粒子和第二纳米粒子的所述聚合物配位体是聚苯乙烯。

13.如权利要求10所述的结构，进一步包括在所述模板层和所述底层之间的至少一个籽层。

14.一种垂直磁记录磁盘，包括：

基板；

在所述基板上的模板层，所述模板层包括具有小于10％的纳米粒子直径分布的第一纳米粒子以及具有小于10％的纳米粒子直径分布的第二纳米粒子的实质上单层，每个纳米粒子包括具有附接的聚合物配位体的核，所述附接的聚合物配位体具有功能基团，其中所述第一纳米粒子具有实质上相同的尺寸，所述第二纳米粒子具有实质上相同且不同于所述第一纳米粒子的尺寸，所述纳米粒子核在所述模板层的表面形成非平面的拓扑；

在所述模板层上的籽层；

在所述籽层上的底层，所述底层从Ru和Ru合金中选出；以及

垂直磁记录层，在所述底层上并包括粒状铁磁Co合金以及Si、Ta、Ti、Nb、B、C和W中一个或多个的一个或多个氧化物的层。

15.如权利要求14所述的磁盘，其中所述第一纳米粒子核和第二纳米粒子核从铁氧化物(Fe₃O₄)、CdSe、CdTe、PbSe、FePt、Si、ZnO、Au、Ru、Cu、Ag、Co、Pt和钒氧化物(VO_x)中选择；其中所述聚合物配位体从聚苯乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚硅氧烷、聚异戊二烯、聚丁二烯、聚丙二醇和聚乙二醇中选择。