[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备和照明装置在审
| 申请号： | 201510172639.2 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733631A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 能渡广美;濑尾哲史;大泽信晴;筒井哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘力 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光装置，包括：
阳极；
所述阳极上的EL层，所述EL层包括发光层；
所述EL层上的第一层，所述第一层包括碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物的至少一种；
所述第一层上的第二层，所述第二层包括第一材料；
所述第二层上的第三层，所述第三层包括金属氧化物；和
所述第三层上的阴极，
其中所述第一材料的LUMO能级高于所述金属氧化物的受主能级。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一材料的所述LUMO能级为-5.0eV以上。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一物质为二萘嵌苯衍生物或含氮稠环芳香化合物。
4.一种发光装置，包括：
阳极；
所述阳极上的EL层，所述EL层包括发光层；
所述EL层上的第一层，所述第一层包括碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物的至少一种；
所述第一层上的第二层，所述第二层包括二萘嵌苯衍生物；
所述第二层上的第三层，所述第三层包括金属氧化物；和
所述第三层上的阴极。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述二萘嵌苯衍生物的LUMO能级为-5.0eV以上。
6.根据权利要求1或4所述的发光装置，其中所述金属氧化物为属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。
7.根据权利要求1或4所述的发光装置，其中所述金属氧化物是氧化钼。
8.根据权利要求1或4所述的发光装置，其中所述第三层的厚度是1nm以下。
9.一种照明装置，包括权利要求1或4所述的发光装置。
10.一种电子设备，包括权利要求1或4所述的发光装置。
11.一种发光装置，包括：
电源开关；和
照明部，包括:
阳极；
所述阳极上的EL层，所述EL层包括发光层；
所述EL层上的第一层，所述第一层包括碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物的至少一种；
所述第一层上的第二层，所述第二层包括第一材料；
所述第二层上的第三层，所述第三层包括金属氧化物；和
所述第三层上的阴极，
其中所述第一材料的LUMO能级高于所述金属氧化物的受主能级。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一材料的所述LUMO能级为-5.0eV以上。
13.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一物质为二萘嵌苯衍生物或含氮稠环芳香化合物。
14.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述金属氧化物为属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。
15.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述金属氧化物是氧化钼。
16.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第三层的厚度是1nm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
