[发明专利]发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，其包括：

n型氮化物半导体层；

设于n型氮化物半导体层上方的活性层；以及

设于活性层上方的p型氮化物半导体层，

n型氮化物半导体层包括：n型氮化物基底层、设于n型氮化物基底层上方的第一中间层、设于第一中间层上方的n型调制掺杂层、以及设于n型调制掺杂层上方的第二中间层，其中，第二中间层包括其n型掺杂浓度比n型调制掺杂层的平均n型掺杂浓度高的子层，n型调制掺杂层具有其中n型掺杂物的浓度受到调制的结构，n型调制掺杂层通过在n型调制掺杂层的生长过程中至少一次改变n型掺杂物源的流量获得，n型掺杂物源的流量随着时间进行有规则或无规则地改变。

2.如权利要求1所述的发光设备，其中第二中间层包括超晶格层，该超晶格层包括第一子中间层和第二子中间层的堆叠结构，第二子中间层的掺杂浓度低于第一子中间层的掺杂浓度，并且

其中，第一子中间层的n型掺杂物浓度为1×10¹⁸原子/cm³或更大。

3.如权利要求2所述的发光设备，其中n型调制掺杂层的n型掺杂物浓度等于或者大于1×10¹⁷原子/cm³，n型调制掺杂层的掺杂浓度低于第二中间层的第一子中间层的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的发光设备，其中n型调制掺杂层包括这样一种结构，其包括形成堆叠结构的相对低掺杂浓度区域和相对高掺杂浓度区域，且从远离第二中间层设置的一个相对高掺杂浓度区域至靠近第二中间层设置的另一相对高掺杂浓度区域，n型调制掺杂层的相对高掺杂浓度区域的掺杂浓度在空间上变化。

5.如权利要求1所述的发光设备，其中，第二中间层包括超晶格结构，该结构包括第一子中间层，且相对靠近活性层设置的一个第一子中间层的掺杂浓度高于相对远离活性层设置的另一第一子中间层的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的发光设备，其还包括：

第一超晶格层，其设置在n型氮化物半导体层和活性层之间；以及

第二超晶格层，其设置于第一超晶格层和活性层之间，

其中第一超晶格层包括其中GaN层和InGaN层重复彼此叠置的结构，第二超晶格层包括其中Al_xGa_(1-x)N层和Al_yGa_(1-y)N层重复彼此叠置的结构，其中0<x<1,0<y<1,且y<x。

7.如权利要求1所述的发光设备，其中n型调制掺杂层包括这样一种结构，其包括形成堆叠结构的相对低掺杂浓度区域和相对高掺杂浓度区域，且n型调制掺杂层在n型调制掺杂层的最上部包括相对低掺杂浓度区域，使得第二中间层接触该相对低掺杂浓度区域。

8.如权利要求1所述的发光设备，其还包括：

未掺杂的氮化物半导体层，其设在n型氮化物基底层和衬底之间。

9.一种发光设备，其包括：

n型氮化物层，其形成于衬底上方；

第一中间层，其形成于n型氮化物层上方且具有与n型氮化物层不同的组成；

n型调制掺杂层，该层形成于第一中间层上方且具有其杂质浓度彼此不同的第一部分和第二部分；以及

第二中间层，其形成于n型调制掺杂层的第二部分上方且包括相对对方交替设置的第一子中间层和第二子中间层，第一子中间层的杂质浓度比第二子中间层的杂质浓度高，并且

其中n型调制掺杂层的第二部分和第二中间层与形成于第二中间层上方的第二杂质氮化物半导体层和活性层一同形成台面结构，n型氮化物层的掺杂浓度比n型调制掺杂层的高掺杂浓度区域中的最大掺杂浓度低，第一部分设置在与台面结构的底表面对应的虚线下方，第二部分设置在与台面结构的底表面对应的虚线上方。

10.如权利要求9所述的发光设备，其中第二部分的掺杂浓度高于第一部分的掺杂浓度。