[发明专利]一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510172874.X 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN104817318A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 王进 申请(专利权)人: 安徽祈艾特电子科技有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622;C04B41/84
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 233000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 大功率 磁铁 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及软磁铁氧体材料领域,具体涉及一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法。

背景技术

软磁铁氧体材料作为一种重要的基础功能材料,广泛用于通讯、传感、音像设备、变压器等电子工业中。随着数字电视机、笔记本电脑的普及,电子设备向轻、薄、小型化发展,这就势必要缩小电源体积,对电源提出了更高、更严格的要求。高频大功率的软磁铁氧体作为电源的材料,能够满足电源材料高的饱和磁强度、低损耗和稳定性。

发明内容

本发明的目的是提供一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法。

为了实现本发明的目的,本发明通过以下方案实施:

一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法,由下列重量份的原料制成:三氧化二铁50-70、氧化锰28-32、氧化锌14-18、二氧化钛0.3-0.5、碳酸钙0.2-0.4、聚乙烯吡咯烷酮0.1-0.3、锯末0.4-1、木质素磺酸钠0.02-0.06、有机硅树脂2-4、去离子水适量;

本发明所述一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法,由以下具体步骤制成:

(1)将锯末清洗干净后烘干粉碎,再将三氧化二铁、氧化锰、氧化锌、锯末和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;

(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中进行预烧,预烧温度控制在700-800°C,预烧时间为120min;

(3)将二氧化钛和碳酸钙球磨成纳米粉体后和聚乙烯吡咯烷酮、木质素磺酸钠混合,加到混料机中机械搅拌混合均匀,再转移到超声震荡器中,加入适量的去离子水超声分散20-40min得到分散液备用;

(4)将步骤(2)预烧的粉末和步骤(3)中所得的分散液混合搅拌均匀,造粒,采用半干压压制成型,将坯件放入烧结炉中,采用氮气作为保护气体,在烧结温度为1000-1300°C,保温时间为120-180min进行烧结,烧结结束后冷却至室温;

(5)将有机硅树脂用4-6倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,再将步骤(4)的坯件浸渍到有机硅树脂溶液中,浸渍2-3次,每次3-5min,干燥固化后即可。

本发明的优点是:本发明添加锯末进行预烧,增加了软磁铁氧体材料的表面粗糙度,增强了坯料的致密性,采用半干压压制成型,节约资源并环境污染小,在坯件的表面涂覆的有机硅树脂,增强了坯件表面的圆滑、平整性和耐磨性,并降低损耗,添加的二氧化钛能够提高磁导率并改善磁导率温度系数,降低涡流损耗和磁滞损耗的作用,添加的碳酸钙具有使起始磁导率增加,改善频率特性的作用,本发明的软磁铁氧体材料高频大功率,能够满足电源材料高的饱和磁强度、低损耗和稳定性的要求,并且生产成本低、操作简单、耐磨性好,有利于电源材料小型化和高效化的发展。

具体实施方式

下面通过具体实例对本发明进行详细说明。

一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法,由下列重量份(公斤)的原料制成:三氧化二铁53、氧化锰30、氧化锌16、二氧化钛0.4、碳酸钙0.4、聚乙烯吡咯烷酮0.2、锯末0.7、木质素磺酸钠0.03、有机硅树脂3、去离子水适量;

本发明所述一种高频大功率软磁铁氧体材料及其制备方法,由以下具体步骤制成:

(1)将锯末清洗干净后烘干粉碎,再将三氧化二铁、氧化锰、氧化锌、锯末和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;

(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中进行预烧,预烧温度控制在800°C,预烧时间为120min;

(3)将二氧化钛和碳酸钙球磨成纳米粉体后和聚乙烯吡咯烷酮、木质素磺酸钠混合,加到混料机中机械搅拌混合均匀,再转移到超声震荡器中,加入适量的去离子水超声分散30min得到分散液备用;

(4)将步骤(2)预烧的粉末和步骤(3)中所得的分散液混合搅拌均匀,造粒,采用半干压压制成型,将坯件放入烧结炉中,采用氮气作为保护气体,在烧结温度为1150°C,保温时间为160min进行烧结,烧结结束后冷却至室温;

(5)将有机硅树脂用5倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,再将步骤(4)的坯件浸渍到有机硅树脂溶液中,浸渍2次,每次5min,干燥固化后即可。

通过上述实施例制得的软磁铁氧体材料的性能数据:

初始磁导率(25±3°C):5520±25%;

功率损耗(100Kc、200mT,KW/m3):562(25±2°C),265(100±2°C);

饱和磁通密度(mT,100°C):435;

居里温度(°C)>242。

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