[发明专利]像素阵列、光电装置及电气设备有效
申请号: | 201510172939.0 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN105006480B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 松枝洋二郎;高取宪一;野中义弘 | 申请(专利权)人: | NLT科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素 重心 像素阵列 电气设备 光电装置 发光度 矩形形状 尺寸比 | ||
本发明提供像素阵列、光电装置及电气设备。像素阵列包括多个像素,各像素具有矩形形状并包括相对发光度最高的第一颜色的第一颜色的子像素、第二颜色的子像素、以及相对发光度最低的第三颜色的第三颜色的子像素。第三颜色的子像素的尺寸比第一颜色的子像素和第二颜色的子像素中的每个子像素的尺寸大,第三颜色的子像素靠近第一颜色的子像素和第二颜色的子像素设置。第一颜色的子像素的重心比第二颜色的子像素的重心更靠近像素的重心,和/或第三颜色的子像素的在第二颜色的子像素侧的一部分的重心比第三颜色的子像素的另一部分位于距离像素的重心更短距离的位置。
技术领域
本发明涉及像素阵列、光电装置及电气设备。具体地,本发明涉及像素阵列的各像素内的子像素的排列结构、配备有具有该排列结构的像素阵列的光电装置、以及使用该光电装置作为显示单元的电气设备。
背景技术
有机EL(Electro-Luminescent:电致发光)元件是电流驱动型自发光元件,并且不需要背光源。另外,有机EL元件具有例如低电力消耗、广视角、高对比度的优点。因此,有机EL元件在应用平板显示器的开发中受到期待。
在使用这种有机EL元件的有机EL显示装置中,设置有通过分别利用R(红色)子像素、G(绿色)子像素、B(蓝色)子像素形成的多个像素。通过组合这些子像素的颜色,有机EL显示装置能够使用各种颜色显示图像。这些RGB子像素能够以各种形态排列。通常,这些子像素以三种颜色的子像素平等地并排配置的条纹型(所谓的RGB纵条纹方式)配置。显示设备通过调整各像素中的三种颜色的子像素之间的亮度能够显示所有的颜色。通常,将三个相邻的R子像素、G子像素、B子像素共同用作一个矩形的像素(称作“点”),这种像素的方形配置实现了点矩阵显示。点矩阵显示装置处理将要显示的图像数据,使其形成n×m像素数据矩阵,并与像素一一对应,由此显示设备能够显示正确的图像。
有机EL显示装置可分为采用白色有机EL元件的标准的两种显示设备,即,通过彩色滤光片产生R、G、B三色的彩色滤光片方式的显示设备、以及子像素分别涂覆有R、G、B三色的有机材料的并排方式的显示设备。在彩色滤光片方式中,由于彩色滤光片部分地吸光,因此具有光利用率下降并且电力消耗提高的缺点。另一方面,在并排方式中,由于再生颜色的高颜色纯度,能够容易扩大色域,并且由于不使用彩色滤光片因此光利用率提高,因此,并排方式的有机EL显示装置已被广泛利用。
在并排方式中,为了分别使用有机材料沉积子像素,使用FMM(Fine Metal Mask:精细金属掩模)。随着近年来有机EL显示装置的更高分辨率的需求,FMM的间距也需要更精密,由此产生有机EL显示装置的生产变得困难的问题。关于该问题,例如,如US6,771,028B、US2002/0186214A、US2004/0113875A和US2004/0201558A中所公开的,提出利用人对R颜色和B颜色不敏感而对G颜色敏感的色觉的下面的像素阵列结构(所谓的PenTile方式)。在PenTile方式中,每个像素由G和B两个颜色或G和R两个颜色的子像素构成,并通过将包括遗失的颜色的子像素的相邻的像素与其子像素一起使用,像素可以明显再现与RGB排列相比需要遗失的颜色的子像素的特定颜色表现。
在PenTile方式中,由于子像素数比RGB纵条纹方式中的子像素数减少,因此可通过与RGB纵条纹方式的两个纵条纹的宽度相对应的长度来确保各R颜色和B颜色的点宽度。因此,能够使FMM的开口尺寸变大,由此使高分辨率的有机EL显示装置的制造变得更容易。然而,PenTile方式用于通过使用密铺(tiling)的方法来缓和由于子像素数的减少引起的颜色再现的缺乏,并且将引起以下缺陷。例如,在原本顺畅显示的曲线的部位产生成为阶梯状的锯齿,并且在色阶和亮度连续变化的图像中产生线状颜色变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的