[发明专利]像素单元及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素单元，其特征在于，包括：

薄膜晶体管；

绝缘层，形成于所述薄膜晶体管的上方，该绝缘层的预设位置形成过孔，以露出下方的薄膜晶体管的漏极；

像素电极，形成于所述绝缘层的上方，所述像素电极与薄膜晶体管的漏极在所述过孔处电性连接；以及

第一垫高层和/或第二垫高层，形成于所述过孔的下方，将所述过孔垫高。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型场效应晶体管，包括：

栅极；

形成于所述栅极上方的栅绝缘层；

形成于所述栅绝缘层上方的有源层；以及

形成于所述有源层上方的源极和漏极；

其中，所述第一垫高层为在制备所述栅极过程中，在过孔位置下方保留下来的栅极材料，其与所述栅极不电性连接；所述第二垫高层为在制备所述有源层过程中，在过孔位置下方保留下来的有源层材料，其与所述有源层不电性连接。

3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一垫高层和第二垫高层的形状为以下形状中的一种：方形、圆形和椭圆形。

4.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一垫高层和第二垫高层的形状相同或不同。

5.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述第一垫高层和第二垫高层的形状相同，且所述第二垫高层的径向尺寸小于所述第一垫高层的径向尺寸。

6.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述过孔呈倒圆台形状，其沿深度方向径向尺寸逐渐减小；

其中，所述像素电极通过形成于过孔侧壁的导电材料跨接至薄膜晶体管的漏极。

7.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述绝缘层为：有机膜绝缘层或无机绝缘层。

8.一种像素单元的制备方法，其特征在于，包括：

制作薄膜晶体管，其中，在与预设过孔位置相对应区域形成第一垫高层和/或第二垫高层；

在所述薄膜晶体管上方形成绝缘层，在该绝缘层的预设过孔位置加工过孔，以露出下方的薄膜晶体管的漏极，所述第一垫高层和/或第二垫高层将该过孔垫高；

在所述绝缘层的上方制作像素电极，与薄膜晶体管的漏极在所述过孔处电性连接。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一垫高层与薄膜晶体管的栅极同时形成且两者不电性连接；第二垫高层与薄膜晶体管的有源层同时形成且两者不电性连接。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制作薄膜晶体管的步骤包括：

步骤A：在衬底基板上形成栅极和第一垫高层；

步骤B：在所述栅极的上方形成栅极绝缘层；

步骤C：在所述栅极绝缘层上形成有源层和第二垫高层；以及

步骤D：在所述有源层上形成源极和漏极，从而完成薄膜晶体管的制备。

11.根据权利要求10所述的制备方法，所述步骤A包括：

子步骤A1：在衬底基板上形成栅极材料层；以及

子步骤A2：由栅极材料层，通过构图工艺在预设栅极位置形成栅极，在与预设过孔位置相对应区域的第一垫高层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述子步骤A2包括：

子分步骤A2a：在栅极材料层上形成光刻胶；

子分步骤A2b：采用栅极掩模板对光刻胶进行曝光、显影，使栅极位置和预设过孔位置相对应区域的光刻胶被保留；

子分步骤A2c：以保留的光刻胶为掩模，对栅极材料层进行刻蚀，栅极位置和预设过孔位置相对应区域的栅极材料被保留，其中，栅极位置的栅极材料构成栅极，预设过孔位置相对应区域的栅极材料构成第一垫高层；以及

子分步骤A2d：去除剩余的光刻胶。

13.根据权利要求10所述的制备方法，所述步骤C包括：

子步骤C1：在栅极绝缘层上沉积有源层材料层；以及

子步骤C2：由有源层材料层，通过构图工艺在预设有源层位置形成有源层，在与预设过孔位置相对应区域的第二垫高层。