[发明专利]内线转移CCD结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510174103.4 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104766873A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 向鹏飞;姜华男;高建威;龙飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L21/02 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内线 转移 ccd 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种内线转移CCD结构，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上邻近设置有转移区（A）和光敏区（B），其特征在于：所述转移区（A）范围内的硅衬底（1）表面上设置有多晶硅转移栅（2），多晶硅转移栅（2）表面覆盖有遮光层（3），遮光层（3）表面淀积有回流层（4），所述回流层（4）将光敏区（B）覆盖；所述遮光层（3）采用难熔金属或难熔金属合金制作。
2.根据权利要求1所述的内线转移CCD结构，其特征在于：所述难熔金属采用金属钛；所述难熔金属合金采用二硅化钨。
3.根据权利要求1所述的内线转移CCD结构，其特征在于：所述遮光层（3）厚度为200~1000nm。
4.根据权利要求1所述的内线转移CCD结构，其特征在于：所述多晶硅转移栅（2）采用二次多晶硅工艺或三次多晶硅工艺制作。
5.一种内线转移CCD制作方法，其特征在于：按如下步骤制作内线转移CCD：1）提供硅衬底；2）在硅衬底上制作光敏区（B）和转移区（A）；3）在硅衬底上制作多晶硅转移栅（2）；4）在多晶硅转移栅（2）表面淀积遮光层（3）；5）在器件表面淀积回流层（4），所述回流层（4）将遮光层（3）和光敏区（B）全部覆盖；6）制作金属引线；其中，所述遮光层（3）采用难熔金属或难熔金属合金制作。
6.根据权利要求5所述的内线转移CCD制作方法，其特征在于：所述遮光层（3）厚度为200~1000nm。
7.根据权利要求5所述的内线转移CCD制作方法，其特征在于：所述多晶硅转移栅（2）采用二次多晶硅工艺或三次多晶硅工艺制作。
8.根据权利要求5所述的内线转移CCD制作方法，其特征在于：所述难熔金属采用金属钛；所述难熔金属合金采用二硅化钨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510174103.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置
- 下一篇：三维存储器结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
