[发明专利]制造光源的方法在审
申请号: | 201510174114.2 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN105280511A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 金寿成;文盛铉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 光源 方法 | ||
本申请要求于2014年7月16日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0089793号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种制造光源的方法。
背景技术
半导体发光装置响应于向其施加的电流通过电子-空穴复合来发射光,并且半导体发光装置由于其诸如以功耗较低、亮度级别高以及紧凑性为例的若干优点而被广泛用作光源。自从开发出氮化物发光器件,这样的器件已经得到更广泛的应用。例如,正在采用诸如发光二极管(LED)的半导体发光器件来用在例如汽车前照灯或者包括室内照明的普通照明装置中。允许制造具有改善的可靠性的产品的半导体光源测试方法和用于该测试的半导体光源测试装置将是极为有利的。
发明内容
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,一种制造光源的方法包括以下步骤:提供当向其施加电力时发射光的半导体光源;向半导体光源供应电力;接收半导体光源发射的光,并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量;自第一测量已过去一段时间之后,接收半导体光源发射的光,并执行对所接收的光的光学性质的第二测量;通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷;以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源,其中,作为确定半导体光源是否有缺陷的结果,所述半导体光源被确定为正常。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,一种制造光源的方法包括确定半导体光源是否有缺陷的步骤,所述步骤包括:确定基于在第一测量中获得的光学性质的、第一测量和第二测量之间的光学性质的变化量;如果计算出的变化量等于或大于预定值,则将半导体光源确定为有缺陷。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,在第一测量和第二测量中获得的光学性质为半导体光源发射的光的亮度级别。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,利用光电二极管来获得所述光学性质。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,在第一测量和第二测量中获得的光学性质包括半导体光源发射的光的色坐标值。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,利用光谱仪来获得所述光学性质。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,执行第一测量和第二测量的步骤包括:通过使半导体光源发射的光成像来获得第一图像和第二图像,确定半导体光源是否有缺陷的步骤包括:比较第一图像和第二图像的明度级别,并且如果明度级别的变化量等于或大于预定值,则将半导体光源确定为有缺陷。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,测试多个半导体光源,确定所述多个半导体光源是否有缺陷的步骤包括:在第一图像和第二图像中的每个图像上设定与所述多个半导体光源的位置对应的分割区域;以及针对每个分割区域比较第一图像和第二图像的明度级别,并且如果明度级别的变化量等于或大于预定值,则将位于与分割区域对应的位置中的半导体光源确定为有缺陷。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,光源为发光模块;半导体光源为发光器件封装件,发光器件封装件包括封装基底和半导体发光器件,封装基底具有第一端子和第二端子,半导体发光器件位于封装基底上并且具有电连接到第一端子和第二端子的第一电极和第二电极;构造光源的步骤包括:在模块基底上设置发光器件封装件,其中,作为确定发光器件封装件是否有缺陷的结果,所述发光器件封装件被确定为正常。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,将半导体发光器件的第一电极和第二电极设置为面对封装基底的第一端子和第二端子。
在根据发明构思的原理的示例性实施例中,在制造光源的方法中,在第一测量和第二测量中获得的光学性质为发光器件封装件发射的光的亮度级别,第一测量和第二测量之间的时间间隔为40毫秒或更短,如果第一测量和第二测量之间的亮度级别的变化量为基于第一测量中获得的亮度级别的5%或更大,则将发光器件封装件确定为有缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造