[发明专利]一种氮化物发光二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510174719.1 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104900773B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 谢祥彬;宋长伟;张家宏;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化物发光二极管结构，包括：非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层和P型层，其特征在于：所述氮化物发光二极管结构包括玻璃衬底及沉积于所述玻璃衬底上的由SiAlN层和AlGaN层组成的缓冲层结构。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述玻璃衬底为图形化衬底或非图形化衬底。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述缓冲层结构中SiAlN层和AlGaN层为依次层叠的循环结构，所述循环数目为1~5。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述SiAlN层的厚度为15~300埃。
5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述AlGaN层的厚度为15~300埃。
6.一种氮化物发光二极管结构的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：
提供一玻璃衬底；
在所述玻璃衬底上层叠缓冲层结构，所述缓冲层结构为SiAlN层和AlGaN层循环组成，所述循环数目为1~5；
然后再依次生长非掺杂的氮化镓层、N型层、量子阱结构层和P型层。
7.根据权利要求6所述的一种氮化物发光二极管结构的制备方法，其特征在于：所述SiAlN层的生长温度为500~1000℃，压力为100torr~500torr。
8.根据权利要求6所述的一种氮化物发光二极管结构的制备方法，其特征在于：所述AlGaN层的生长温度为500~1000℃，压力为100torr~500torr。
9.根据权利要求6所述的一种氮化物发光二极管结构的制备方法，其特征在于：所述SiAlN层利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法、或物理气相沉积（PVD）法制备形成。
10.根据权利要求6所述的一种氮化物发光二极管结构的制备方法，其特征在于：所述AlGaN层利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法、或物理气相沉积（PVD）法制备形成。
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