[发明专利]有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法

权利要求书

1.一种有机含能芯片，其特征在于，所述芯片具有如下结构：

其中，R₁独立选自于中的一种，R₂独立选自于中的一种；

n＝1～3。

2.一种采用硅片为衬底制备权利要求1所述有机含能芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将氯化硅片置于去除氧气后的R₁盐溶液中，搅拌加热，得到R₁/Si含能芯片；

步骤2：将步骤1中得到的芯片清洗后加入到DMF中，加入K₂CO₃搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R₁/Si含能芯片；

步骤3：将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n-1)次；

步骤4：将R₂含能化合物溶解于DMF中，加入K₂CO₃，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；

步骤5：将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si～R₂的(n+1)层含能芯片。

3.如权利要求2所述的采用硅片为衬底制备有机含能芯片的方法，其特征在于，步骤1中所述的R₁盐溶液是将2,6-二硝基苯-1,4-二酚或2-硝基苯-1,4-二酚溶解于DMF中，加入K₂CO₃，室温搅拌后制得，其中n_R1:n_K2CO3＝2:1。

4.如权利要求2所述的采用硅片为衬底制备有机含能芯片的方法，其特征在于，步骤1中反应温度为60～100℃，反应时间为1～12h。

5.如权利要求2所述的采用硅片为衬底制备有机含能芯片的方法，其特征在于，步骤2中反应温度为50～90℃，反应时间为1～10h，n_R1:n_Br(CH2)2Br＝1:1。

6.如权利要求2所述的采用硅片为衬底制备有机含能芯片的方法，其特征在于，步骤4中R₂含能化合物为苦味酸、2-硝基苯胺、2,6-二硝基-4-甲基苯酚、2,6-二硝基苯酚中任意一种，n_R2:n_R1＝1:1。

7.如权利要求2所述的采用硅片为衬底制备有机含能芯片的方法，其特征在于，步骤5中反应温度为60～100℃，反应时间为1～12h。