[发明专利]双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种适用于OLED的双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

目前，在有源阵列平面显示装置中，TFT基板通常采用单栅极氧化物半导体薄膜晶体管(Single-Gate TFT)。双栅极氧化物半导体薄膜晶体管(Dual-Gate)相比单栅极氧化物半导体薄膜晶体管具有更优的性能，如电子迁移率更高，开态电流较大、亚阈值摆幅更小、阈值电压的稳定性及均匀性更好、栅极偏压及照光稳定性更好等。在OLED显示装置中，阈值电压的重要性尤为突出，稳定、均匀的阈值电压能够使OLED的显示亮度较均匀，显示品质较高。

在OLED的制程中，为了降低制作难度以及避免有机发光材料色度与亮度的恶化不均，通常采用白色有机发光二级管搭配彩色滤光片(Color Filter，CF)的显示方法。白光OLED显示装置中的彩色滤光片主要在TFT基板的阵列制程中完成，即采用彩色滤光片制备于阵列基板(Color Filter On Array，COA)技术。

现有的适用于OLED的双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法主要包括如下步骤：

步骤1、如图1所示，提供基板100，在基板100上沉积第一金属层，通过第一道光罩制程对第一金属层进行图案化处理，形成第一底栅极210、及第二底栅极220；在第一底栅极210、第二底栅极220、及基板100上沉积底栅绝缘层310；

步骤2、如图2所示，通过第二道光罩制程对底栅绝缘层310进行图案化处理，以暴露出部分第一底栅极210；

步骤3、如图3所示，在底栅绝缘层310上沉积氧化物半导体层，通过第三道光罩制程对氧化物半导体层进行图案化处理，得到分别位于第一底栅极210、第二底栅极220上方的第一氧化物半导体层410、及第二氧化物半导体层420；

步骤4、如图4所示，在第一氧化物半导体层410、第二氧化物半导体层420、及底栅绝缘层310上沉积刻蚀阻挡层，通过第四道光罩制程对刻蚀阻挡层进行图案化处理，形成刻蚀阻挡层500；

步骤5、如图5所示，在刻蚀阻挡层500上沉积第二金属层，通过第五道光罩制程对第二金属层进行图案化处理，形成第一源极610、第一漏极620、第二源极630、第二漏极640；第二源极630与第一底栅极210相接触；

步骤6、如图6所示，在第一源极610、第一漏极620、第二源极630、第二漏极640、及刻蚀阻挡层500上沉积钝化层，通过第六道光罩制程对钝化层进行图案化处理，形成钝化层700，在第一源极610上方形成过孔720；

步骤7、如图7所示，在钝化层700上沉积第三金属层，通过第七道光罩制程对第三金属层进行图案化处理，形成第一顶栅极810、及第二顶栅极820；

步骤8、如图8所示，在第一顶栅极810、及第二顶栅极820、及钝化层700上沉积色阻层，通过第八、第九、第十道光罩制程对色阻层进行图案化处理，形成红/绿/蓝色阻层900；

步骤9、如图9所示，在红/绿/蓝色阻层900上沉积第一平坦层，通过第十一道光罩制程对第一平坦层进行图案化处理，形成第一平坦层1000；

步骤10、如图10所示，在第一平坦层1000上沉积ITO层，通过第十二道光罩制程对ITO层进行图案化处理，形成阳极1100，阳极1100经由过孔720与第一源极610相接触；

步骤11、如图11所示，在第一平坦层1000、及阳极1100上沉积第二平坦层，通过第十三道光罩制程对第二平坦层进行图案化处理，形成第二平坦层1200。

上述适用于OLED的氧化物半导体TFT基板的制程中共需要十三道光罩制程，制程较为繁琐，生产效率较低，制程成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种适用于OLED的双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法，制程简单，能够减少光罩制程的次数，提高生产效率，降低生产成本。

本发明的另一目的在于提供一种适用于OLED的双栅极氧化物半导体TFT基板结构，结构简单，能够减少光罩制程的次数，有效简化制程，且生产效率高，生产成本低。