[发明专利]一种LED芯片测量设备校准方法在审
申请号: | 201510175668.4 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN104849683A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 胡苗苗 | 申请(专利权)人: | 山西南烨立碁光电有限公司 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
代理公司: | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人: | 冷锦超;吴立 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 测量 设备 校准 方法 | ||
技术领域
本发明一种LED芯片测量设备校准方法,属于LED芯片测量设备校准领域。
背景技术
LED被称为第四代光源,具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。
目前LED因为其优良的性能得到广泛使用,LED测量作为LED生产制造的关键环节有着举足轻重的作用,如何的到准确、精确地量测数据成了各生产企业的重要工作。由于测量环境变换、测量设备自身测试条件变化,为了提高测量设备精确度,同时保证测量设备的不确定度符合相关规范的技术要求就需要定期对测量设备进行校准。
发明内容
本发明克服现有技术存在的不足,解决了现有技术存在的问题,提供一种能够确保LED芯片测量设备得到精确测量数据,同时维护LED测量设备处于测量标准规范内的LED芯片测量设备校准方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种LED芯片测量设备校准方法,首先对车间测试标准机按照以下步骤进行校准:
1)筛选校准所需晶粒作为标准晶粒,以目标校准波段每纳米5颗以上;
2)将标准晶粒整齐排列于蓝膜上并依顺序为每颗晶粒编号;
3)将待校正之测试标准机的校准值回归到初始状态;
4)使用测试标准机测量标准晶粒取得初始值A;
5)将标准晶粒送至IS标准测量设备取得标准值B;
6)使用标准值B的亮度栏位对初始值A的亮度栏位做散点图,并取得拟合函数即可得到亮度的校准值,拟合曲线依据需求可以使用一次拟合或者二次拟合,一次拟合得到拟合函数y=ax+b其中a、b为亮度的校准值;二次拟合得到拟合函数y=ax2+bx+c其中a、b、c为亮度的校准值;
7)使用标准值B的波长栏位对初始值的波长栏位做差,取得每个波段波长的差值,各个波段取各自平均值作为波长的校准值;
8)对取得之校准值进行验证,验证完毕后此机台为测试标准机;
测试标准机校准完成后,按照以下步骤利用测试标准机对非标准机进行校准:
9)取2-3片晶片在测试标准机上取值后,再到非标准机台上取值;
10)根据步骤9)中的数值,按照步骤6)的方式对亮度进行一次拟合或二次拟合,按照步骤7)的方式取得各个波长的校准值;
11)重复步骤9)和10),将所有非标准机校准完成。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果:采用本发明校准方法校准后的测量设备状态稳定,测量值随晶粒尺寸、晶粒间距及环境变化的误差小。采用校准后的测量设备对LED芯片进行测量,测量数据精确,可靠,同时排除了chip与wafer测量数据与IS机台测量数据不符的疑虑。
本发明不局限于测试机此设备的型号厂家,适用于各种波段的各种尺寸的LED晶粒,不局限产品的形式,COW(Chip On Wafer)和COT(Chip On Tape)等多种形式的晶粒均可。
附图说明
图1为一次拟合曲线图。
图2为二次拟合曲线图。
具体实施方式
一种LED芯片测量设备校准方法,首先对车间测试标准机按照以下步骤进行校准:
1)筛选校准所需晶粒作为标准晶粒,以目标校准波段每纳米3颗以上,在每个波段(444-482nm)挑选3-5颗裸晶,选中共118颗晶粒按照一定的间距放置在蓝膜上制作成一张方片,按顺序使用测试标准机进行亮度和波长测试,再请请品保实验室将此118颗按照标测试标准机测试的顺序封装成118颗TO-Can,利用IS标准测量设备量测每颗To-Can在5mA和20mA电流下的标准波长和亮度的IS值(封装TO-Can的原因是光电测试结果需要有一个统一标准,这个标准需要由品保部门通过国际标准测量设备IS机制定。而IS机只适用于测量独立的单颗TO-Can或已封装好的已具有引脚的晶粒。所以测试机台的标准只能来源于TO-Can)。
备注:因蓝光所需校准晶粒的波长必须宽泛,因此再挑选这些晶粒的时候需要从多个Wafer上的挑选,因此在平时生产中注意挑选并积攒不同波段的晶粒,另外在制作此118颗晶粒的方片时,请按照同样的方法再制作两张备用。
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