[发明专利]激光熔覆快速成形层高测量装置与闭环控制方法有效
申请号: | 201510176039.3 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN104807410B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 石拓;魏正英;卢秉恒;王吉洁;王伊卿 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 闵岳峰 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 快速 成形 层高 测量 装置 闭环控制 方法 | ||
1.激光熔覆快速成形层高测量装置,其特征在于:包括三个激光2D位移传感器,相互成120°夹角并环绕安装在熔覆头(1)的周围,用于测量金属熔池(5)周围封闭的激光等边三角形边线上的熔覆层(6)高度;且每个激光2D位移传感器配有传感器控制器,用于其上的CMOS图像信号转化为高度数据,并通过以太网传输给控制单元;
控制单元,用于处理三个激光2D位移传感器采集的数据,计算出熔覆层(6)高度值并反馈给上位机;
显示器,用于实时显示三个激光2D位移传感器测量的高度数据与控制单元处理后的层高高度数据;
其中,三个激光2D位移传感器均通过传感器安装架(2)安装在熔覆头(1)的周围;
每个激光2D位移传感器的采样频率设为f=500Hz~1000Hz;激光等边三角形在加工件表面边长为12mm~15mm,在传感器属性中设置每条线段上每个时间点的扫描点数为N=400~800。
2.根据权利要求1所述的激光熔覆快速成形层高测量装置,其特征在于:控制单元为PLC、DSP芯片或者嵌入式微处理器。
3.权利要求1或2所述的激光熔覆快速成形层高测量装置的闭环控制方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)在激光成形开始前,调整熔覆头(1)离焦量至设定值,测量三个激光2D位移传感器至基体(8)的距离,作为标准距离值输入控制单元进行标定;
2)在激光成形开始后,将三个激光2D位移传感器测得的3组高度数据实时传输给对应的传感器控制器,再通过传感器控制器传输给控制单元,控制单元将3组高度数据标记为三个向量A、B及C,通过冒泡排序法或max()函数筛选出其中总和最大的相邻的10个点,它们的平均值即为当前时间点的最高熔覆层(6)的高度;
3)将多个时间点测得的,小于标准距离值0.1~0.4mm范围内的最高点取平均值,作为该熔覆层(6)的层高高度值,控制单元将此层高高度值反馈给上位机,进而控制激光熔覆头(1)的提升量。
4.根据权利要求3所述的激光熔覆快速成形层高测量装置的闭环控制方法,其特征在于,步骤2)中,三个向量A、B及C相互搭接。
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