[发明专利]一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510176105.7 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN104867674A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 黄国兴;万志 | 申请(专利权)人: | 赫得纳米科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/015 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215316 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 薄膜 电容 金属化 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及了一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,属于金属化薄膜制造技术领域。
背景技术
薄膜电容器用金属化薄膜的现制造工艺:金属化薄膜是以金属箔当电极,在聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属膜,金属成份基本为铝、锌及其他导电金属,然后进行分切为薄膜电容器所需卷绕的薄膜带。
现有电容器用金属化薄膜有以下问题,不能很好的克服:
(1)金属化的薄膜最突出的一个特点是具有良好的自愈性,就是说当其介质的电弱处被击穿后,由于短路产生的高能量使击穿附近的金属镀层迅速逸散形成空白区,重新恢复绝缘。这一特性要求金属化膜具有较薄的镀层。由于镀层薄了,在薄膜端面的导电层也薄(约100nm左右),这样造成端面喷金材料与电容导电成的接触面积小,而造成大的接触电阻,喷金面接触不良,造成耐电流冲击能力差,经过反复充放电,造成电容失效;
(2)由于喷金材料的颗粒比较大(约2um左右),而卷绕材料之间的间隙是一个薄膜厚度,一般在几到十几微米,这样端面的喷金材料与镀层的结合是一种假性附着,喷金材料与薄膜镀层间有很大的接触电阻,在大电流是结合处会发热,从而造成电容器不能耐大电流;
(3)如果,为了降低端面喷金层与镀层之间的接触电阻,就需要将喷金侧的镀层加厚,但加厚后,会造成电容耐压下降,自愈能力下降;
(4)现业界为了解决以上问题,有2种方法,a. 在分切时,用波浪分切的方法,这样分切后,喷金层与镀层的接触面积可以增加很有限;b.在喷金侧,镀上加强边,这样也只能增加1-2倍的接触面;还是无法彻底解决耐压及耐电流的矛盾。
发明内容
本发明所采用的技术方案是提供一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,通过在薄膜带喷金端面建立金属化层,端面的金属化层与薄膜带上的金属化层结合在一起,增加端面金属化层后,使薄膜带上的金属化层与喷金导电层接触面积增大,附着与导电截面积也随之增大。
为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:
一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜,将其分切为薄膜电容所需的薄膜带,并绕卷为薄膜卷;
(2)将需要做喷金端面镀膜的薄膜卷放置在载具上进入真空腔室,并对真空腔室进行抽真空;
(3)对真空腔室内通入稀有气体,将载有薄膜卷的载具匀速通过阴极体,并同时对阴极体施加高压直流电,在阴极体附近形成等离子区,区域中的正离子被阴极体靶材负极所吸引,并撞击其表面,靶材原子飞溅出原靶材本体,在阴极体下方匀速移动的薄膜卷的喷金端面沉积形成金属镀层,从而形成了金属化镀膜。
前述的一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)中薄膜卷放置在载具上进入真空腔室后,对其进行初抽真空,达到5.0E-02mbar后,载具移动至高真空室做真空静止,使真空度达到1.0E-05mbar。
前述的一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)在薄膜卷的喷金端面沉积形成的金属镀层为10nm-30nm。
前述的一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:所述阴极体靶材为Al、Zn或其他金属材料。
前述的一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:所述绝缘体薄膜为聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯中的一种。
前述的一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的稀有气体为Ar。
本发明的有益效果是:
(1)大面积提高了喷金层与电极的导电附着面积,提升了相对原有电容的容量值;
(2)可以将金属化薄膜的金属电极层厚度适当减薄,减薄后,电容的耐压值可以增加,耐压的相对增加,在使用电容时可将电容电压升高,从而使电容的能量提升电压增加值的平方倍,如果保证原有的容量需求,就可以将基膜的厚度降薄,从而节约基膜成本,电容的体积可以缩小,节约封装材料,对最终产品的容积需求缩小。
附图说明
图1是本发明一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法制成的薄膜带示意图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图,对本发明作进一步的说明。
本发明提供了一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
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