[发明专利]一种有机发光显示器件及其制作方法在审
申请号: | 201510176671.8 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN104795430A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 杨久霞;白峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光显示器件,包括:有机发光层和位于所述有机发光层出光侧的层叠设置的多个元件,其特征在于,在多个所述元件之间设有至少一个透明的光提取层,和/或,在所述有机发光层和与所述有机发光层相邻的所述元件之间设有至少一个透明的光提取层,和/或,在距离所述有机发光层最远的所述元件的出光面上设有至少一个透明的光提取层;
所述有机发光层和/或与所述光提取层相邻的所述元件的折射率、所述光提取层的折射率沿出光方向依次递减,且所述光提取层的折射率大于空气的折射率。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,每个所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面为凹凸不平的面;或者,多个所述光提取层层叠设置,层叠设置的多个所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面为凹凸不平的面。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述光提取层为光固化材质光提取层或热固化材质光提取层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述光固化材质光提取层为光固化树脂光提取层,所述热固化材质光提取层为热固化树脂光提取层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述有机发光显示器件为顶发光显示器件,多个所述元件沿出光方向依次包括:电子传输层、电子注入层、阴极层和第一基板;
所述光提取层位于所述电子传输层和所述电子注入层之间、所述电子注入层和所述阴极层之间、所述阴极层和所述第一基板之间、所述有机发光层和所述电子传输层之间、和/或、所述第一基板的出光面上。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述有机发光显示器件为底发光显示器件,多个所述元件沿出光方向依次包括:空穴传输层、空穴注入层、阳极层和第二基板;
所述光提取层位于所述空穴传输层和所述空穴注入层之间、所述空穴注入层和所述阳极层之间、所述阳极层和所述第二基板之间、所述有机发光层和所述空穴传输层之间、和/或、所述第二基板的出光面上。
7.一种有机发光显示器件的制作方法,其特征在于,包括:
形成有机发光层;
在所述有机发光层的出光侧形成层叠设置的多个元件;
在多个所述元件之间形成至少一个透明的光提取层,和/或,在所述有机发光层和与所述有机发光层相邻的所述元件之间形成至少一个透明的光提取层,和/或,在距离所述有机发光层最远的所述元件的出光面上形成至少一个透明的光提取层;
其中,所述有机发光层的折射率、和/或与所述光提取层相邻的所述元件的折射率、所述光提取层的折射率沿出光方向依次递减,且所述光提取层的折射率大于空气的折射率。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示器件的制作方法,其特征在于,形成至少一个透明的光提取层的步骤,具体包括:
形成一层透明的光提取层,经过构图工艺使所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面,然后重复上述步骤N-1次,以形成N个光提取层,其中N为大于或者等于1的正整数;或者
形成N层透明的光提取层,在形成N层透明的光提取层的过程中,经过构图工艺使其中一层或者多层所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面,其中N为大于1的正整数。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器件的制作方法,其特征在于,所述形成一层透明的光提取层,经过构图工艺使所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面的步骤,具体包括:
涂布一层透明的热固化材质,经过固化工艺形成一层透明的光提取层,经过压印工艺使所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面;或者
涂布一层透明的光固化材质,经过固化工艺形成一层透明的光提取层,经过曝光显影工艺使所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示器件的制作方法,其特征在于,所述形成N层透明的光提取层,在形成N层透明的光提取层的过程中,经过构图工艺使其中一层或者多层所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面的步骤,具体包括:
涂布一层透明的热固化材质,经过固化工艺形成一层透明的光提取层,重复上述步骤N次,以形成N层透明的光提取层,在形成N层透明的光提取层的过程中,经过压印工艺使其中一层或者多层所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面;或者
涂布一层透明的光固化材质,经过固化工艺形成一层透明的光提取层,重复上述步骤N次,以形成N层透明的光提取层,在形成N层透明的光提取层的过程中,经过曝光显影工艺使其中一层或者多层所述光提取层的出光面和入光面中至少一个面形成凹凸不平的面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的