[发明专利]一种IGBT模块内置电流传感芯片

权利要求书

1.一种IGBT模块内置电流传感芯片，包括一传感单元，所述传感单元与IGBT桥臂相连接，其特征在于：还包括将传感单元获取的传感信号进行增益调整的可编程增益、检测传感芯片周围环境温度的温度补偿单元、对传感芯片进行编程控制和通信管理的控制器单元、以及对传感单元的输出数据进行修正的零点修正单元；所述可编程增益与所述传感单元相接；所述温度补偿单元、控制器单元和零点修正单元与所述可编程增益相接。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述温度补偿单元包括温度传感器、与所述温度传感器相接的模数转换器、以及与所述模数转换器相接的寄存器；所述寄存器与所述可编程增益相接。

3.根据权利要求1所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述控制器单元包括通讯接口、控制器和可编程单元；所述通讯接口连接所述控制器，所述控制器连接所述可编程单元；所述可编程单元分别与可编程增益、零点修正单元相接。

4.根据权利要求1所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：还包括一可编程基准，该可编程基准与所述可编程增益相接；所述可编程基准一端接入外部供电，一端接地。

5.根据权利要求1所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述零点修正单元连接一高精度电压输出，该高精度电压输出通过输出端与外部处理传感数据的处理器相接。

6.根据权利要求1所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述传感单元包含四个磁传感单元及一根检测导线；所述四个磁传感单元呈长方形阵列排列，所述检测导线平行于所述四个磁传感单元所在平面，且所述检测导线距所述各磁传感单元的距离相等，所述各磁传感单元的输出经差分放大单元后输出。

7.根据权利要求6所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述检测导线在所述四个磁传感单元所在的平面内。

8.根据权利要求6或7所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述四个磁传感单元呈正方形阵列排列。

9.根据权利要求6或7所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述磁传感单元为霍尔传感单元、巨磁阻传感单元或磁通门传感单元。

10.根据权利要求1至6任一项所述的IGBT模块内置电流传感芯片，其特征在于：所述传感芯片为巨磁阻感应芯片、霍尔传感芯片或磁通门传感芯片。