[发明专利]一种具有N缺陷的C3N4材料的制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201510178125.8 申请日: 2015-04-15
公开(公告)号: CN104787734B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 张铁锐;余慧军;吴骊珠;佟振合 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;B01J27/24
代理公司: 北京正理专利代理有限公司11257 代理人: 蔡蓉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 缺陷 sub 材料 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种具有N缺陷的C3N4材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

1)将含氮化合物水溶液和氢氧化物水溶液混溶,干燥混合溶液得到固体;

2)将所得固体进行煅烧得到产物为具有N缺陷的C3N4

所述含氮化合物为尿素,所述氢氧化物为KOH;

所述尿素与所述KOH的质量比为15g:0.01g。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1)中氢氧化物的用量以氢氧根离子的摩尔数计为89μmol-18mmol。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述煅烧的温度为530-570℃。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的制备方法得到的具有N缺陷的C3N4:其特征在于:所述N缺陷的C3N4具有片状结构,调节氢氧化物的浓度可以使制得的C3N4能带结构连续改变。

5.权利要求4所述的具有N缺陷的C3N4作为光催化产氢催化剂的用途。

6.根据权利要求5所述的用途,其特征在于:使用乳酸作为牺牲剂,在产氢测试之前加入1wt%Pt的H2PtCl6,在催化剂上光沉积Pt。

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