[发明专利]一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法

权利要求书

1.一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，其特征在于：

脉冲激光沉积时选用VO2靶材，纯度99.99％，溅射时所用O2的纯度为99.999％；激光器为KrF准分子激光器，波长为248nm，溅射时将腔体内的本底真空抽至3.0×10-4以上，基底升温至700℃，然后通过气体流量计控制送入腔体内O2的含量，腔体内的氧压控制在5Pa，基底选用镀有一层SiO2层的Si片，SiO2层厚度100nm，基底与靶材的间距控制在5cm；调节激光部分的参数，激光能量为300mJ ，脉冲数为3000个脉冲，激光频率10Hz；溅射过程中靶材和样品台匀速转动以保证溅射的均匀性，溅射完毕后保温退火10min，最后自然降至室温；

或脉冲激光沉积时选用VO2靶材，纯度99.99％，溅射时所用O2的纯度为99.999％；激光器为KrF准分子激光器，波长为248nm，溅射时将腔体内的本底真空抽至3.0×10-4以上，基底升温至700℃，然后通过气体流量计控制送入腔体内O2的含量，腔体内的氧压控制在5Pa，基底选用镀有一层SiO2层的Si片，SiO2层厚度100nm，基底与靶材的间距控制在5cm；调节激光部分的参数，激光能量为300mj，脉冲数为6000个脉冲，激光频率10Hz；溅射过程中靶材和样品台匀速转动以保证溅射的均匀性，溅射完毕后保温退火10min，最后自然降至室温。