[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、提供一基板，在所述基板上形成栅绝缘层和有源层的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜；

步骤3、通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形；

步骤4、在形成有所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的显示基板上形成数据线、薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述薄膜晶体管的沟道区域，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与有源层电连接，所述薄膜晶体管的漏极搭接在第一电极上。

2.根据权利要求1所述显示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述栅绝缘层的步骤之前，所述方法还包括：

通过构图工艺在所述基板上形成栅线、栅电极以及公共电极线的图形。

3.根据权利要求2所述显示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述数据线、所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述薄膜晶体管的沟道区域的步骤之后，所述方法还包括：

在形成有所述数据线、所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述薄膜晶体管沟道区域的基板上形成具有第二过孔的钝化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述刻蚀阻挡层、所述栅绝缘层，露出所述公共电极线；

在所述钝化层上形成第二电极图形，所述第二电极图形通过所述第二过孔与所述公共电极线电连接。

4.一种显示基板，所述显示基板至少包含栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层和第一电极的图形，其特征在于，

所述刻蚀阻挡层图形位于所述栅绝缘层与所述有源层之上且包括第一过孔区域、第一厚度区域和第二厚度区域；

所述刻蚀阻挡层图形的第一过孔区域具有贯穿整个刻蚀阻挡层以部分露出所述有源层的第一过孔图形；

所述刻蚀阻挡层图形的第一厚度区域位于所述栅绝缘层之上，对应于所述显示基板的第一电极；

所述刻蚀阻挡层图形的第二厚度区域位于除所述第一过孔区域与第一厚度区域之外的区域，第二厚度区域对应的刻蚀阻挡层厚度小于第一厚度区域的刻蚀阻挡层厚度；

所述第一电极图形位于所述刻蚀阻挡层的第一厚度区域之上且拥有与第一厚度区域相同的边界。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述刻蚀阻挡层中的第一过孔图形完全位于有源层之上。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层中的第一过孔图形位于有源层与栅绝缘层之上。

7.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

基板；

位于所述基板之上且位于所述栅绝缘层之下的栅线、栅电极以及公共电极线；

位于所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形表面的薄膜晶体管源极和薄膜晶体管漏极以及与薄膜晶体管源、漏极同时形成的数据线，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与有源层电连接，所述薄膜晶体管的漏极搭接在第一电极上；

位于所述数据线、所述薄膜晶体管的源极以及所述薄膜晶体管的漏极的表面的含有第二过孔的钝化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出所述公共电极线；

位于所述钝化层表面的第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔与所述公共电极线电连接。

8.根据权利要求4至7任一所述的显示基板，其特征在于，所述有源层采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求4至8任一所述的显示基板。