[发明专利]一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法

权利要求书

1.一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)配制基础镀液：所述的基础镀液含1.0mol/L H₂SO₄和0.2mol/L CuSO₄；

(2)电化学沉积：在电沉积槽中，以石墨片为阳极，铝箔为阴极，以基础镀液为电解液，使用电化学工作站进行恒电流密度电沉积，在铝箔上形成多孔铜膜；

(3)对铝箔上的多孔铜膜进行真空退火处理；

(4)去除铝基体：将真空退火处理后的铝箔放在碱液中反应，去除铝箔，得到三维网络结构多孔铜全透膜。

2.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，所述的基础镀液中还含添加剂，所述的添加剂为5-10mmol/L的NH₄Cl和1-2g/L的聚乙二醇。

3.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，所述的基础镀液中还含有表面光亮剂，所述的表面光亮剂选择糖精钠。

4.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，所述的基础镀液中还含有pH缓冲剂。

5.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，所述的铝箔在使用前超声清洗后，去除表面氧化层，并采用电化学方法进行抛光处理。

6.根据权利要求5所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，进行抛光处理时，电解液用无水乙醇和高氯酸按体积比4:1配得，以石墨为阴极，铝箔为阳极，在20V电压下抛光15min。

7.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的电化学沉积的工艺条件为：电流密度为1-2.5A/cm²，电解液温度为室温，沉积时间20s-60s。

8.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的真空退火处理工艺为：先控制加热速度为5℃/min将温度升高至300-500℃，然后在300-500℃下保温30-120min。

9.根据权利要求1所述的一种三维网络结构多孔铜全透膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的碱液为30wt％的NaOH溶液。