[发明专利]封装基板的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及用密封树脂层覆盖搭载于基板上的多个器件芯片的封装基板的形成方法。

背景技术

在器件封装体的制造工艺中，将对半导体晶片进行分割所得到的多个器件芯片搭载于基板上，利用密封树脂对搭载于基板上的器件芯片进行密封而形成封装基板。

为了保护器件芯片免受冲击和湿气等的损害，利用密封树脂对器件芯片进行密封是重要的。通常，作为密封材料，通过使用在树脂中混入由二氧化硅构成的填料而成的密封材料，使密封材料的热膨胀率接近基板的热膨胀率，由此防止由于热膨胀率的差而产生的加热时的封装的破损。

对搭载于基板上的多个器件芯片进行树脂密封后，对密封树脂加热使其硬化。然后，通过对基板进行分割，由此制造出在内部埋设有器件芯片的一个个器件封装体。

近年来，伴随着电子设备的薄型化，期望器件封装体也变薄，进行了使封装基板的密封树脂层形成得较薄的尝试。可是，如果要形成薄的密封树脂层，则存在在密封树脂层内部产生孔隙、或在密封后的封装基板上产生翘曲这样的问题。因此，可以考虑在超出需要地形成较厚的密封树脂层后，利用磨削装置或刀块切削装置使密封树脂层变薄。

专利文献1：日本特开2010-043663号公报

可是，在使密封树脂层变薄时，由于完全硬化后的密封树脂层非常硬且在内部包含二氧化硅等填料，因此，存在磨削装置的磨具或刀块切削装置的刀块切削刃过度磨损这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够防止磨削磨具或刀块切削刃过度磨损的封装基板的形成方法。

根据本发明，提供一种封装基板的形成方法，其是形成封装基板的形成方法，所述封装基板具备：基板；搭载在该基板上的多个器件芯片；和在该基板上密封该器件芯片的密封树脂层，所述封装基板的形成方法的特征在于包括：密封树脂层形成步骤，在该基板上形成对搭载于基板上的多个器件芯片进行密封的密封树脂层；半硬化步骤，在实施了该密封树脂层形成步骤后，使该密封树脂层半硬化；薄化步骤，在实施了该半硬化步骤后，利用磨削构件或刀块切削构件使该密封树脂层变薄为规定的厚度；和完全硬化步骤，在实施了该薄化步骤后，使该密封树脂层完全硬化。

根据本发明，在密封树脂半硬化的状态下利用磨削构件或刀块切削构件使密封树脂变薄，因此，能够防止磨削磨具或刀块切削刃过度磨损。此外，由于在半硬化的状态下能够抑制翘曲的产生，因此，还能够防止在封装基板产生翘曲而导致无法利用保持构件抽吸保持这样的担忧。

附图说明

图1是利用较厚的密封树脂层进行了密封的状态的封装基板的纵剖视图。

图2是示出磨削步骤(薄化步骤)的局部剖面侧视图。

图3是刀块切削装置的立体图。

图4是示出基于刀块切削装置的薄化步骤的局部剖面侧视图。

图5的(A)是薄化步骤后的封装基板的纵剖视图，图5的(B)是器件芯片被倒装焊接(flip chip bounding)的情况下的薄化步骤后的封装基板的纵剖视图。

图6是完全硬化步骤后的封装基板的纵剖视图。

标号说明

11：封装基板；

12：磨削单元(磨削构件)；

13：基板；

15：器件芯片；

17：密封树脂层；

20：磨轮；

24：磨削磨具；

40：刀块切削单元(刀块切削构件)；

60：刀块工具；

62：切刃(刀块切削刃)。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。参照图1，示出了形成有较厚的密封树脂层的封装基板的纵剖视图。封装基板11通过将多个器件芯片15搭载于基板13上并利用密封树脂层17对器件芯片15进行密封而构成(密封树脂层形成步骤)。

作为用于密封树脂层17的密封树脂，为了使密封树脂层17的热膨胀率接近基板13的热膨胀率，优选使用混入有由二氧化硅构成的填料的环氧树脂等。

在本发明的封装基板的形成方法中，在实施密封树脂层形成步骤后，实施使密封树脂层半硬化的半硬化步骤。在半硬化步骤中，例如以大约100℃对密封树脂层17加热规定的时间，使密封树脂层17半硬化。

实施半硬化步骤后，实施使密封树脂层17变薄为规定的厚度的薄化步骤。参照图2对使用了磨削构件(磨削单元)12的薄化步骤进行说明。图2是示出利用磨削构件进行的薄化步骤的局部剖面侧视图。