[发明专利]一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材，其特征在于，由如下重量百分比的各成分制备得到，0.03％-0.5％的硼、99.4％-99.9％的硅，余下为杂质组成。

2.权利要求1所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材，其特征在于，由如下重量百分比的各成分制备得到，0.1％的硼、99.8％的硅，余下为杂质组成。

3.一种权利要求1或2所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其特征在于，步骤为，

1)不锈钢背管制备：

下料：用锯床锯取指定长度的不锈钢管，钢管的内径为125mm，外径为133mm；

车管：将不锈钢管两端按产品图纸分别车出凹槽、斜角；

表面喷砂粗化：再将不锈钢管通过喷砂机将其表面喷砂处理；

打底：取出粗化后的不锈钢管，通过电弧喷涂机，在其表面喷涂一层青铜铝丝材料层，涂层厚度为0.5mm，得到制备好的不锈钢背管；

2)含硼硅粉末制备

熔炼：按一定比例硅粉和硼粉混合后，进行高温熔炼，熔炼成硅硼锭。

破碎球磨：取成型后的硅硼锭进行机械破碎、球磨、过筛，制备出45-150um的硅硼熔炼粉末；

烘干：将所得的硅硼熔炼粉末置于烘干炉中烘干成硅硼粉末材料；

真空等离子喷涂：在真空状态下，使用等离子体为热源将所得硅硼粉末材料加热到熔融或半熔融状态并高速冲击到制备好的不锈钢背管表面，形成致密硅硼靶材涂层；喷涂电压75-85V、喷涂电流550-600A、真空度为-0.03--0.04Mpa、氩气流量为2800-3200L/H；

机械加工：待真空等离子喷涂所得靶材到达所定尺寸后，对成型的旋转靶材进行机械加工和电加工，加工完毕后再进行清洗、烘干即可。

4.权利要求3所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其特征在于，所述表面喷砂粗化步骤中喷砂材料为粒径为80目的棕刚玉，喷砂时间为1h。

5.权利要求3所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其特征在于，所述混粉步骤的混料时间为5-6小时。

6.权利要求3所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其特征在于，所述3)微硼硅涂层制备中的烘干温度为100度，烘干时间为30min。

7.权利要求3所述低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材的制备方法，其特征在于，所述真空等离子喷涂步骤中，喷涂电压80V、喷涂电路550A、真空度为-0.1Mpa、等离子气体流量为3000L/H。