[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括：基板，所述基板包括显示区；

所述基板上设置有栅极金属层、覆盖所述栅极金属层上的半导体层、覆盖所述半导体层上的源漏极金属层和覆盖所述源漏极金属层上的公共电极层；

所述基板上设置有覆盖所述公共电极层的像素电极层；

所述显示区包括多条形成于栅极金属层上的扫描线、多条形成于源漏极金属层上的数据线、多条所述扫描线与多条所述数据线交错定义出多个呈阵列布置的子像素；

多个所述子像素相互分离设置，并形成有留空区；

所述显示区还包括多个设置于所述留空区的栅极驱动电路元件；且所述公共电极层覆盖所述栅极驱动电路元件；

所述栅极驱动电路元件包括信号控制线；

所述显示区包括多个第一像素单元；每个所述第一像素单元包括相邻设置的第一子像素和第二子像素；相邻设置的第一数据线和第二数据线位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，且所述第一子像素和第二子像素分别与所述第一数据线和第二数据线电连接；

所述留空区包括，设置于两个相邻的所述像素单元之间的第一预设留空区，所述第一预设留空区沿所述数据线方向延伸；

其中，所述信号控制线设置于所述第一预设留空区中，所述信号控制线沿所述数据线方向延伸且与所述扫描线绝缘交叉。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源漏极金属层和所述公共电极层之间设有第一非导电介质层。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一非导电介质层为钝化层或有机膜层。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述有机膜层的厚度为0.8-5μm；钝化层的厚度为0.8-5μm。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体层为非晶硅半导体材料或氧化铟镓锌半导体材料。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述留空区还包括，设置于所述第一数据线和第二数据线之间的第二预设留空区，所述第二预设留空区沿所述数据线方向延伸。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述显示区中位于同一行的多个所述子像素连接到同一条所述扫描线上；其中，所述显示区包括多个相邻设置的第三子像素 和第四子像素 ；所述第三子像素和第四子像素分别连接到第一扫描线和第二扫描线；其中，所述第一扫描线位于所述第三子像素 和所述第四子像素 之间；

所述留空区包括，设置于所述第一扫描线和所述第三子像素之间的第三预设留空区，所述第三预设留空区沿所述扫描线方向延伸；

所述留空区还包括，设置于所述第二扫描线和所述第四子像素 之间的第四预设留空区，所述第四预设留空区沿所述扫描线方向延伸；

所述留空区还包括，设置于所述第一扫描线和所述第四子像素 之间的第五预设留空区，所述第五预设留空区沿所述扫描线方向延伸。

8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动电路元件至少还包括薄膜晶体管和电容器。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述信号控制线包括第一信号走线和第二信号走线；所述第一信号走线由所述栅极金属层图案化形成；所述第二信号走线由所述源漏极金属层图案化形成；所述第一信号走线和第二信号走线通过第一过孔结构连接。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动电路元件还包括至少一个信号控制线组，所述信号控制线组至少包括两条设置于不同的所述第一预设留空区，且相互并联的所述信号控制线；所述信号控制线相互间通过至少一条第一连接走线连接。

11.如权利要求10所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一连接走线由所述栅极金属层图案化形成，且平行与所述数据线。