[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的隔离层；

形成于所述衬底和所述隔离层上的多晶硅有源层，在所述有源层的两侧形成有两个源漏离子注入区，

其中，所述隔离层的两端边缘在所述有源层的两端边缘内。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

形成于所述衬底和所述隔离层之间的非晶硅层，所述非晶硅层与所述有源层的位置相对应，所述非晶硅层的两侧形成有两个源漏离子注入区。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管还包括：

依次形成于所述有源层上的栅极绝缘层、栅极和中间绝缘层，以及形成在所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的两侧的两个过孔。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：

所述隔离层为单层的氧化硅、氮化硅或二者的叠层。

5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：

所述非晶硅层为

和/或，所述隔离层为

6.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：

所述非晶硅层与所述有源层在所述衬底上的投影重合；

和/或，所述隔离层与所述栅极在所述衬底上的投影重合。

7.一种制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成隔离层的图形；

在所述衬底和所述隔离层上沉积非晶硅层，使之转变为多晶硅层，并形成多晶硅有源层的图形；

对所述有源层进行离子注入，在所述有源层的两侧形成两个源漏离子注入区，

其中，所述隔离层的两端边缘在所述有源层的两端边缘内。

8.根据权利要求7所述的制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底上与所述有源层对应的区域形成非晶硅层的图形；

在对所述有源层进行离子注入的同时对所述非晶硅层进行离子注入，在所述非晶硅层的两侧形成掺杂的非晶硅层。

9.根据权利要求8所述的制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，在所述形成有源层的图形之后，所述对所述有源层和所述非晶硅层进行离子注入之前还包括：在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极的图形；

在所述对所述有源层和所述非晶硅层进行离子注入之后还包括：在所述栅极绝缘层和所述栅极上沉积中间绝缘层，并在所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的两侧形成两个过孔。

10.根据权利要求7所述的制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：

所述隔离层为单层的氧化硅、氮化硅或二者的叠层。

11.根据权利要求9所述的制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：

利用同一块掩膜板采用光刻刻蚀分别形成所述非晶硅层的图形与所述有源层的图形；

和/或，利用同一块掩膜板采用光刻刻蚀分别形成所述隔离层的图形与所述栅极的图形。

12.根据权利要求7所述的制作多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：

所述离子注入能量为10～200keV；

和/或，所述离子注入剂量为1x10¹¹～1x10²⁰atoms/cm³。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的多晶硅薄膜晶体管。