[发明专利]一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架有效
| 申请号： | 201510184098.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104810462B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 姜喆;姜英伟 | 申请（专利权）人： | 广州华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 510730 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 驱动 芯片 esop8 引线 框架 | ||
1.一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：包括引脚（1）、侧连筋（4）、用于承载控制芯片的第一基岛（2）和用于承载MOSFET芯片的第二基岛（3），所述第一基岛（2）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第一基岛（2）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与1个引脚（1）相连结作为第一基岛（2）的另外一个支撑点；所述第二基岛（3）的一侧通过侧连筋（4）与框架外部连接体相连作为第二基岛（3）的一个支撑点，所述第一基岛（2）的另一侧直接与两个引脚（1）相连结作为第二基岛（3）的另外一个支撑点；所述第一基岛（2）的高度高于第二基岛（3）的高度。
2.根据权利要求1所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述第一基岛（2）的宽度尺寸小于第二基岛（3）的宽度尺寸。
3.根据权利要求2所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述第一基岛（2）宽度尺寸的范围为0.8-1.2mm，所述第二基岛（3）宽度尺寸的范围为2-2.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述引脚（1）和第一基岛（2）均设置有塑封锁孔（5），所述塑封锁孔（5）位于引脚（1）和第一基岛（2）的远脚端。
5.根据权利要求1所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：还包括塑封锁定沟槽（6），所述塑封锁定沟槽（6）位于塑封后裸露的第二基岛（3）的背面。
6.根据权利要求5所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述塑封锁定沟槽（6）的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范围内。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种中大功率LED驱动芯片的ESOP8引线框架，其特征在于：所述MOSFET芯片为VDMOSFET芯片或COOLMOSFET芯片。
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