[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510184202.0 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104766893B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李娟;张建军;吴玉祥;熊绍珍;蔡宏琨;倪牮;杜阳阳 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200-400nm、有源沟道层200-300nm、源漏电极1μm；所述有机/无机复合钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3，CH3NH3PbI3具有明显的晶化峰，且分别在2θ＝13.98°、28.32°、31.74°处对应出现(110)、(220)和(310)三个主要晶向。
2.一种如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)在衬底上采用掩膜版直接蒸镀法、蒸镀后光刻图形法、旋涂法或印刷法 制备栅电极；
2)在上述制备栅电极的衬底上采用旋涂法制备栅绝缘层，旋涂条件为： 2000-4000r/min、30-40s,然后在50-100℃温度下退火1-3小时；
3)在栅绝缘层上采用旋涂法旋涂有机/无机复合钙钛矿薄膜作为有源沟道层, 所述有机/无机复合钙钛矿薄膜为CH3NH3PbI3，CH3NH3PbI3具有明显的晶化峰，且分别在2θ＝13.98°、28.32°、31.74°处对应出现(110)、(220)和(310)三个主要晶向，旋涂条件为：3000-6000r/min、25-40s,然后在50-100℃温度下退火45-90min；
4)在上述有源沟道层上制备源漏电极。
3.权利要求2所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述衬底为玻璃或 单晶硅片；栅电极为ITO或FTO；栅绝缘层材料为氮化硅、氧化硅、聚乙烯吡咯 烷酮、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯醇；有源沟道层为CH3NH3PbI3；源漏电极为金、铝或银薄膜。
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