[发明专利]平面型VDMOS器件制作方法有效
| 申请号： | 201510184574.3 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106158961B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 器件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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