[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

采用氮化铜形成半导体层；

对所述半导体层的第一区域和第二区域进行处理，使其电阻率小于预设值；

将所述第一区域和第二区域的处理后的半导体层分别作为源极和漏极；

将所述半导体层的第三区域作为有源层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：

在对所述半导体层的第一区域和第二区域进行处理时，对所述半导体层的第四区域进行处理，使其电阻率小于所述预设值；

将所述第四区域的处理后的半导体层作为数据线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在对所述半导体层的第一区域、第二区域和第四区域进行处理之前还包括：

在所述半导体层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行半掩膜曝光，以部分保留所述第一区域、第二区域、第四区域的光刻胶，完全保留所述第三区域的光刻胶，

其中，所述第三区域与所述第一区域和第二区域相接触；

对所述半导体层进行蚀刻，以保留所述第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的半导体层；

对所述第一区域、第二区域和第四区域对应的光刻胶进行灰化处理，以暴露所述第一区域、第二区域和第四区域的半导体层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在对所述半导体层的第一区域、第二区域和第三区域进行处理之后还包括：

去除所述第三区域对应的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：

在所述源极、漏极和有源层上形成保护层；

在所述保护层中对应于所述漏极的位置形成过孔；

在所述保护层上形成像素电极，并使所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

6.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述采用氮化铜形成半导体层包括：

在预设氮气分压、预设溅射功率和预设基板温度的状态下采用氮化铜形成所述半导体层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述预设氮气分压为0.5至1.0pa，所述预设溅射功率为50w至100w，所述预设基板温度为80℃至100℃。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层的第一区域和第二区域进行处理包括：

对所述半导体层的第一区域和第二区域进行掺杂处理。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述对所述第一区域和第二区域的半导体层进行掺杂处理包括：

向所述第一区域和第二区域的半导体层掺杂镍，以使所述第一区域和第二区域的半导体层的电阻率小于1.84*10^-4Ω·cm，且光学能隙大于1.52eV。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成所述半导体层之前还包括：

在基底上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层，

其中，所述半导体层形成于所述栅绝缘层之上。

11.一种阵列基板，其特征在于，包括：

处于同一层的源极、漏极和有源层，

其中，所述有源层的材料为氮化铜，所述源极和漏极为对氮化铜进行掺杂处理形成。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

与所述源极材料相同，且处于同一层的数据线。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于所述数据线、源极、漏极和有源层上的保护层，

其中，在所述保护层中对应于所述漏极的位置设置有过孔；

设置于所述保护层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

基底；

设置在所述基底上的栅极；

设置在所述栅极上的栅绝缘层，

其中，所述数据线、源极、漏极和有源层设置于所述栅绝缘层之上。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11至14中任一项所述的阵列基板。