[发明专利]用于对基板进行等离子切割的方法在审
| 申请号： | 201510186311.6 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104821289A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 克里斯·约翰逊;大卫·约翰逊;鲁塞尔·韦斯特曼;林内尔·马丁内斯;大卫·佩斯-沃拉德;戈登·格里夫纳 | 申请（专利权）人： | 等离子瑟姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/78;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;金洁 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 进行 等离子 切割 方法 | ||
1.一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：
提供所述基板；
提供具有壁的处理室；
提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源；
在所述处理室内提供工件支架；
将所述基板放置到框架上的支撑膜上，以形成工件；
将所述工件加载到所述工件支架上；
通过所述等离子源产生等离子；
通过所产生的等离子蚀刻所述工件的所述基板；以及
在所述等离子蚀刻步骤期间，提供位于所述工件上方的盖环，所述盖环不接触所述工件的所述框架，并且，所述盖环在所述等离子蚀刻步骤期间与所述框架重叠但不与所述基板重叠。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述蚀刻步骤期间控制所述盖环的温度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述盖环的温度控制到低于80℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过使所述盖环与冷却流体接触来冷却所述盖环。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述盖环还包括流体通道。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环还包括金属。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环还包括陶瓷。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环还包括多个孔。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环与所述框架之间的距离大于0.5mm。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环与所述框架之间的距离小于5mm。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖环与所述框架之间的距离约为1.5mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
