[发明专利]温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法有效
申请号: | 201510186985.6 | 申请日: | 2015-04-20 |
公开(公告)号: | CN104817323A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 胡长征;孙振;朱其华;方亮 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 稳定 陶瓷 电容器 介质 材料 sr sub gdtinb 30 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法,属于电子元器件的陶瓷材料技术领域。
背景技术
陶瓷电容器是电子信息技术的重要基础器件,随着电子器件的飞速发展,要求陶瓷电容器能够在更宽的温度范围内保持稳定的介电性能。在军工、航天航空以及勘探等领域里,对于能承受高温的电子元器件有很大需求。目前大多数陶瓷电容器材料容量温度特性具有一定的局限性。因此,研发具有较宽温度稳定性的介质陶瓷材料,具有重要的实际应用价值。另外,大多数陶瓷电容器基于钙钛矿结构,本发明采用钨青铜结构,有助于扩展电容器陶瓷的材料类型。
发明内容
本发明的目的是提供一种温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法。
本发明涉及的温度稳定型陶瓷电容器介质材料的化学组成式为:Sr4GdTiNb9O30。
上述温度稳定型陶瓷电容器介质材料的方法具体步骤为:
1)将纯度大于99.9%的SrCO3,Gd2O3,TiO2和Nb2O5为起始原料,按照SrCO3:Gd2O3:TiO2:Nb2O5 =4: 0.5:1: 4.5的摩尔比进行配料,加入无水乙醇中,混合球磨48小时,烘干制得混合均匀的粉料;
2)将步骤1)的烘干样品在1000~1250℃预烧4个小时,制得预烧后的粉体;
3)将步骤2)预烧后的粉体,在无水乙醇中球磨48小时混合均匀,烘干;加入5~10wt%聚乙烯醇水溶液进行造粒,过60目筛后压制成型,然后置于高温炉空气气氛中,在1100~1400℃烧结4~10小时后自然冷却至室温,得到所述温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30。
所述的聚乙烯醇水溶液的优选浓度为8wt%。
本发明提供所述温度稳定型陶瓷电容器介质材料,温度稳定性好。本发明采用传统的固相法制备陶瓷介质材料,在中温下烧结即可获得性能优良的温度稳定型陶瓷材料,且工艺简单,成本低廉,对环境友好。在我国,介质陶瓷材料正处在不断发展之中,尤其是像很多此类温度较为稳定的特种介质陶瓷,研究尚未完善,仍未实现规模化产业化。本发明所提供的陶瓷电容器介质材料及其制备方法,具有良好的产业化前景。
附图说明
1.图1为本发明实施例制得的Sr4GdTiNb9O30陶瓷电容器介质材料的X射线图谱;
2.图2为本发明实施例制得的Sr4GdTiNb9O30陶瓷电容器介质材料的表面显微形貌照片;
3.图3为本发明实施例制得的Sr4GdTiNb9O30陶瓷电容器介质材料的介电常数随温度变化规律;
4.图4为本发明实施例制得的Sr4GdTiNb9O30陶瓷电容器介质材料的温度与电容变化率关系。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学,未经桂林理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510186985.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高强铁口耐火砼的制备方法
- 下一篇:一种轻质高硅莫来石生坯及其制备方法