[发明专利]蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂，包含：

0.5wt％～20wt％的过硫酸盐；

0.01wt％～2wt％的氟化合物；

1wt％～10wt％的无机酸；

0.5wt％～5wt％的含氮原子的杂环化合物；

0.1wt％～5wt％的氯化合物；

0.05wt％～3wt％的铜盐；

0.1wt％～10wt％的有机酸或有机酸盐；

0.1wt％～5wt％的供电子化合物；以及

余量的溶剂，

其中，所述供电子化合物包括选自如下化合物中的至少一种：

二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-甲硫氨酸，以及

二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸和L-甲硫氨酸的钾盐、钠盐和铵盐。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述过硫酸盐包括选自过硫酸钾、过硫酸钠和过硫酸铵中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述氟化合物包括选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟氢化铵、氟氢化钠和氟氢化钾中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述无机酸包括选自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述含氮原子的杂环化合物包括选自5-氨基四唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、苯并三唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述氯化合物包括选自盐酸、氯化钠、氯化钾和氯化铵中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述铜盐包括选自硝酸铜、硫酸铜和磷酸铜铵中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸或有机酸盐包括选自如下化合物中的至少一种：

乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸；以及

乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸的钾盐、钠盐和铵盐。

9.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述溶剂包括去离子水。

10.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂不含过氧化氢。

11.一种制造显示装置的方法，包括：

在绝缘基板上形成栅金属层，所述栅金属层包括下部栅金属层和上部栅金属层；

使用权利要求1至10中任意一项所述的蚀刻剂来蚀刻所述栅金属层，从而形成包括栅电极的栅线；

在所述栅线上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上按序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下部数据金属层，和上部数据金属层；

蚀刻所述第一非晶硅层、所述第二非晶硅层、所述下部数据金属层，和所述上部数据金属层，从而形成半导体层、欧姆接触层、包括源电极的数据线，和漏电极；

在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘膜上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成像素电极以与所述漏电极连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述下部栅金属层和所述下部数据金属层由钛或含钛金属形成，并且

所述上部栅金属层和所述上部数据金属层由铜或含铜金属形成。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，使用所述蚀刻剂同时蚀刻所述上部金属层和所述下部金属层。