[发明专利]一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法有效

专利信息
申请号: 201510187961.2 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN104860346A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 于成龙;王斐;郝欣;王秀峰;曹舒尧;高丹鹏;崔云;王道益;沈清;李嘉胤;贾钦相;宁青菊;江红涛;王莉丽 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01G23/00 分类号: C01G23/00;B82Y30/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 直接 发育 纳米 li sub tio 临界 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于超临界水热化学法制备功能材料粉体领域,具体涉及一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法。

背景技术

偏钛酸锂(β-Li2TiO3)作为最具潜力的固态氚增殖剂材料之一,受到广泛关注。β-Li2TiO3优异的氚释放性能和低活化特点得益于其良好发育的超胞结构及其高度稳定性。目前,制备纳米级β-Li2TiO3粉体的方法有固相法、湿化学法等。固相法制得的粉体结晶性能较差。一般湿化学法需要后期煅烧,制得的粉体超胞发育较差。其他方法也存在会引入杂质等问题。如,中国专利公告CN103803642A报道了一种纳米八面体状Li2TiO3的制备方法。该方法以TiO2粉体与KOH溶液混合、反应,将所得的产物分散于LiOH溶液中得到白色沉淀,沉淀后经离心干燥、煅烧制得纳米八面体状Li2TiO3。此方法引入了K+杂质,且需后期煅烧制粉,破坏β-Li2TiO3超胞结构且制备周期长、操作较复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法,以克服上述现有技术存在的缺陷,本发明的制备方法操作简单,制得的β-Li2TiO3粉体原子有序化程度高,超胞结构发育良好。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法,包括以下步骤:

1)按照Li﹕Ti的摩尔比为(1.85~2.25)﹕1称取TiO2粉体和LiOH·H2O粉体,将二者加入高压容器中,然后向高压容器中加入蒸馏水,混合均匀,并控制Li+浓度为0.1~2mol/L;

2)将高压容器置于高温干燥箱中,于375~450℃下充分反应;

3)将高压容器置于烘箱中,经干燥得到β-Li2TiO3粉体;

4)将步骤3)得到的β-Li2TiO3粉体研磨均匀,即得到纳米级β-Li2TiO3粉体。

进一步地,所述的高压容器材料为哈氏合金,压力范围为50~200MPa。

进一步地,步骤1)中按照蒸馏水占高压容器容积为20%~80%的体积比向高压容器中加入蒸馏水。

进一步地,步骤2)中的反应时间为5~20h。

进一步地,步骤3)中干燥温度为50~80℃,干燥时间为8~12h。

一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法,包括以下步骤:

1)按照Li﹕Ti的摩尔比为1.90﹕1称取TiO2粉体和LiOH·H2O粉体,将二者加入高压容器中,所述的高压容器材料为哈氏合金,压力范围为50~200MPa,然后按照蒸馏水占高压容器容积为50%的体积比向高压容器中加入蒸馏水,混合均匀,并控制Li+浓度为1mol/L;

2)将高压容器置于高温干燥箱中,于400℃下反应10h;

3)将高压容器置于烘箱中,经80℃干燥10h得到β-Li2TiO3粉体;

4)将步骤3)得到的β-Li2TiO3粉体研磨均匀,即得到纳米级β-Li2TiO3粉体。

一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法,包括以下步骤:

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