[发明专利]一种快速检测SiO2膜厚及膜层致密性的方法在审
申请号: | 201510188221.0 | 申请日: | 2015-04-20 |
公开(公告)号: | CN104865178A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 胡超川;傅强;李加海;朱磊;金艳芳;王丹 | 申请(专利权)人: | 安徽立光电子材料股份有限公司 |
主分类号: | G01N17/00 | 分类号: | G01N17/00 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人: | 鞠翔 |
地址: | 239200 安徽省滁州*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 检测 sio sub 致密 方法 | ||
技术领域
本发明涉及磁控溅射镀膜工业生产中快速检测膜厚及膜层致密性技术领域,尤其涉及一种快速检测SiO2膜厚及膜层致密性的方法。
背景技术
随着电子化信息产业快速发展,智能家居应用越来越广泛,家电显示中仪表使用越来越多,一般LCD液晶显示及触控类产品均需要在镀制ITO前覆盖一层SiO2膜,起到阻挡钠离子析出、增强附着力作用,工业生产中均采用油性笔制作台阶测试物性膜厚。
目前行业内多为使用油性笔划线制作样品进行镀膜,完成后擦除油性笔印记制作台阶,测试台阶深度即为物性膜厚,但此种方式需制作样品,无法快速对膜层厚度进行测试,且这种方式只能测试膜层物性膜厚,无法对膜层致密性进行评价。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快速检测SiO2膜厚及膜层致密性的方法,以解决上述技术问题。使用HF酸检测对膜层进行蚀刻,测试膜层深度并评价膜层致密性。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种快速检测SiO2膜厚及膜层致密性的方法,其特征在于,测试方法步骤如下:
1)酸液准备
选取分析纯,配制比例为HF:HNO3:DI水=2.4%:1.6%:96%,将配置好的酸液存放于塑料杯中;
2)台阶制作
将待检测的样片切割成小片,并在其表面平行粘贴两条胶带,制作成台阶,两胶带间距为1mm,胶带沿同一方向压实,要保持台阶边缘平整;
3)酸液加热
开启水浴锅加热,将温度设定为30℃,并将盛有酸液的塑料杯放入加热;通过温度计确认酸液的温度达30±2℃,方可开始实验;温度确认时眼睛视线应垂直于温度计刻度线;
4)SiO2膜层致密性评价
玻璃SiO2膜层在酸液中反应速率明显慢于玻璃的反应速率,玻璃蚀刻速率为SiO2膜蚀刻速率为将制作好的台阶置于指定温度的酸液中浸泡,检测蚀刻速率时浸泡时间规定为50s、70s、90s、110s,推断SiO2膜厚时实验时间根据实验情况决定,起始时间定为50s,90s内为合格。
本发明的有益效果是:
1.快速检测
使用此方法,在线生产中可以直接使用生产过程中表观不良玻璃进行测试,无需再次使用油性笔划线制作台阶完成样品,大大提高测试效率,提升产能;
2.减少污染
以往技术均需要使用油性笔划线制作台阶检测膜厚,这种载片需要重新制作且油性笔存在放气问题,真空镀膜中会对真空箱体内气氛产生影响,影响膜层附着力同时造成电阻率过高,本发明解决了该问题。
附图说明
图1为本发明样片粘贴胶带的示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例和附图,进一步阐述本发明,但下述实施例仅仅为本发明的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例,都属于本发明的保护范围。
一种快速检测SiO2膜厚及膜层致密性的方法,测试方法步骤如下:
1)酸液准备
选取分析纯,配制比例为HF:HNO3:DI水=2.4%:1.6%:96%,将配置好的酸液存放于塑料杯中;
2)台阶制作(如图1所示)
将待检测的样片切割成小片,并在其表面平行粘贴两条胶带,制作成台阶,两胶带间距为1mm,胶带沿同一方向压实,要保持台阶边缘平整;
3)酸液加热
开启水浴锅加热,将温度设定为30℃,并将盛有酸液的塑料杯放入加热;通过温度计确认酸液的温度达30±2℃,方可开始实验;温度确认时眼睛视线应垂直于温度计刻度线;
4)SiO2膜层致密性评价
玻璃SiO2膜层在酸液中反应速率明显慢于玻璃的反应速率,玻璃蚀刻速率为SiO2膜蚀刻速率为将制作好的台阶置于指定温度的酸液中浸泡,检测蚀刻速率时浸泡时间规定为50s、70s、90s、110s,推断SiO2膜厚时实验时间根据实验情况决定,起始时间定为50s,90s内为合格。
图1中:
1.胶带——用于覆盖膜层,保护膜层不受酸液刻蚀;
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