[发明专利]超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路

权利要求书

1.一种超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于：包括由N级串行的四列缓冲控制信号产生子电路构成的S列缓冲控制信号产生子电路，第一级四列缓冲控制信号产生子电路的两个输入分别连接指针本地化与整形子电路的输出以及上一级S列缓冲控制信号产生子电路的输出；所述的四列缓冲控制信号产生子电路受像元合并信号的控制，具有非像元合并与像元合并两种工作模式：在非像元合并工作模式下，产生所有列的输出控制信号；在像元合并工作模式下，产生间隔列输出的控制信号；所述的N、S为正整数。

2.根据权利要求1所述的超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于：所述的四列缓冲控制信号产生子电路包括依次设置的四个触发器以及设置在四个触发器之间的三个二选一选择器；所述的二选一选择器的控制信号端连接像元合并信号；处于非像元合并工作模式的四列缓冲控制信号产生子电路，每个二选一选择器的输入为上一级触发器的输出，该电路相当于四个触发器级联，产生所有列输出控制信号；处于像元合并工作模式的四列缓冲控制信号产生子电路，第一个和第三个二选一选择器的输入为零，第二个二选一选择器的输入为第一个触发器的输出，产生第一、三列的输出控制信号。

3.根据权利要求1所述的超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于，通过S列缓冲控制信号产生子电路实现S*S最小开窗粒度：

地址处理子电路产生S列缓冲控制信号产生子电路的起始选中信号和结束选中信号；当起始选中信号有效时，选中该级S列缓冲控制信号产生子电路为列时序控制电路的入口位置，将指针本地化与整形子电路的输出接入该级S列缓冲控制信号产生子电路的输入；当起始选中信号无效时，将上一级S列缓冲控制信号产生子电路的输出接入该级S列缓冲控制信号产生子电路的输入；当结束选中信号有效时，该级S列缓冲控制信号产生子电路的输出不会向下一级S列缓冲控制信号产生子电路传递；当结束选中信号无效时，该级S列缓冲控制信号产生子电路的输出接到下一级S列缓冲控制信号产生子电路的输入；当起始选中信号和结束选中信号同时有效时，开窗粒度为S*S。

4.根据权利要求1所述的超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于，通过P级串行的S列缓冲控制信号产生子电路和一个相关双采样控制信号产生子电路实现P*(S*S)开窗粒度的全像素工作模式：

地址处理子电路产生P级S列缓冲控制信号产生子电路的起始选中信号和结束选中信号；将前一级S列缓冲控制信号产生子电路的输出作为后一级S列缓冲控制信号产生子电路的输入，从第一级至第P级依次级联，当第一级S列缓冲控制信号产生子电路的起始选中信号和第P级S列缓冲控制信号产生子电路的结束选中信号同时有效时，开窗粒度为P*(S*S)；所述的P为正整数。

5.根据权利要求4所述的超大面阵CMOS图像传感器的多功能列时序控制电路，其特征在于：所述的P级S列缓冲控制信号产生子电路共用一个指针本地化与整形子电路以及地址处理子电路。