[发明专利]一种抗读干扰的阻变存储器读方法在审
| 申请号： | 201510188989.8 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104766627A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张锋;项中元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 干扰 存储器 方法 | ||
1.一种抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：判断读使能是否有效，如果读使能无效则继续等待，如果读使能有效，则执行步骤2；
步骤2：读使能有效后对读地址进行译码，映射到相应的阻变存储器的字；
步骤3：在读地址选中的阻变存储器的字的各阻变单元上加相应的正向读电压Vr，持续时间T；
步骤4：将读出的阻变单元存储的数据写入读出寄存器，并判断读出的阻变单元存储的数据是否存在“0”，如果存在“0”则执行步骤5，否则返回执行步骤1；
步骤5：对存储的数据为“0”的阻变单元进行一次再读操作，之后返回执行步骤1；其中，对存储的数据为“0”的阻变单元进行再读操作，是通过加反向的读电压-Vr，持续时间T来进行的。
2.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤2中所述映射到相应的阻变存储器的字，是映射到阻变存储器某一行的16列，即16个阻变单元。
3.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤3中所述正向读电压Vr的取值范围是1～1.5V，持续时间T的取值范围是1～10ns。
4.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤4中所述对阻变单元存储的数据的判断，是通过对读出寄存器中的值进行读取得到的。
5.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤4中是对本次读出的所有的数据中是否有“0”进行判断。
6.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤4中对读出的阻变单元存储的数据中是否有“0”进行判断是在后台进行的。
7.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，步骤5中只对存储的数据为“0”的阻变单元进行再读操作。
8.根据权利要求1所述的抗读干扰的阻变存储器读方法，其特征在于，所述反向的读电压-Vr的取值范围是-1～-1.5V，持续时间T的取值范围是1～10ns。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510188989.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
