[发明专利]一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极有效
申请号: | 201510189172.2 | 申请日: | 2015-04-21 |
公开(公告)号: | CN104779306B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘友文;薛惠丹;吴彤;王吉明 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 211100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 伞状塞 波长 结构 太阳能电池 栅极 | ||
1.一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:太阳能电池栅极上设有金属伞状塞的亚波长增透结构;太阳能电池栅极的上部为二氧化硅基底,在所述的二氧化硅基底上设有二氧化硅凸起,所述的二氧化硅凸起是空心圆柱形,内部为圆柱形空腔;除了二氧化硅凸起部位,二氧化硅基底的其他位置的上表面都附着有金属膜;金属伞状塞的亚波长增透结构包括伞柄和伞盖,所述的伞柄位于二氧化硅凸起的圆柱形空腔内。
2. 如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:太阳能电池栅极上分布有多个金属伞状塞,俯视时为200nm*200nm的周期性二维阵结构。
3.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:所述的金属膜的厚度小于二氧化硅凸起的高度。
4.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:所述的伞柄半径为圆柱形空腔的半径的一半。
5.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:所述的金属膜的厚度为30nm,所述的二氧化硅凸起的高度为40nm,所述的圆柱形空腔的半径为35nm。
6.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:所述的伞柄高40nm,半径25nm。
7.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:所述的伞盖高40nm,底面为半径为70nm的圆形。
8.如权利要求1所述的具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极,其特征在于:最大透射率可达87%。
9.一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极的制作方法,其特征在于:采用纳米压印技术,用计算机程序控制的电子束直接写入纳米压设备,制备所设计图案的压印版,先制备除二氧化硅凸起和伞状塞以外的金属膜部分的模板,后制备二氧化硅凸起的模板,再制备单独的伞状塞模板,然后将图形转印到涂在基底上的光刻胶上,最后通过离子铣削刻蚀到衬底上,形成一种具有伞状住的亚波长伞状增透太阳能电池栅极结构。
10.一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极的制作方法,其特征在于:首先通过计算机控制的电子束曝光技术制作具有设计图案的掩膜版,利用光刻技术通过掩膜曝光将图形转印到涂在基片上的光刻胶上,再通过离子束刻蚀将光刻蚀胶图案逐层转移,形成一种具有伞状塞的亚波长周期增透结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学,未经南京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510189172.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光电子器件
- 下一篇:薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的