[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510189236.9 申请日: 2010-11-15
公开(公告)号: CN104795323A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 山崎舜平;坂田淳一郎;大原宏树 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;H01L29/786;H01L21/28
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:

在衬底上形成栅电极;

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜;

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜;

通过对所述氧化物半导体膜进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体膜;

对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理;

通过离子注入法或离子掺杂法对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧;

对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理;以及

在所述第二加热处理之后对所述岛状氧化物半导体膜进行等离子体处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,还包括如下步骤:在所述第二加热处理之后形成源电极及漏电极。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中所述第二加热处理在水分量为20ppm以下的空气中进行。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中添加氧的步骤以1×1013ions/cm2至1×1016ions/cm2的剂量来进行。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中所述等离子体处理使用N2O、N2或Ar来进行。

6.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:

在衬底上形成栅电极;

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜;

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜;

通过对所述氧化物半导体膜进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体膜;

对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理;

通过离子注入法或离子掺杂法对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧;

对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理;

在所述岛状氧化物半导体膜上形成绝缘膜;以及

在所述绝缘膜上形成背栅电极。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,还包括如下步骤:在所述第二加热处理之后形成源电极及漏电极。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其中所述第二加热处理在水分量为20ppm以下的空气中进行。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其中添加氧的步骤以1×1013ions/cm2至1×1016ions/cm2的剂量来进行。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其中所述背栅电极比所述岛状氧化物半导体膜宽。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510189236.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top