[发明专利]三轴各向异性磁阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510189317.9 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104891428A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 制造 方法 | ||
1.一种三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成镍铁层、氮化钽层和氮化硅层；
对所述氮化硅层进行光刻和刻蚀以形成图形化的硬掩膜层；
对形成图形化的硬掩膜层的三轴各向异性磁阻进行灰化；以及
利用所述图形化的硬掩膜层对所述氮化钽层进行刻蚀以形成沟槽。
2.如权利要求1所述的MEMS装置的制造方法，其特征在于，所述镍铁层的厚度范围在100埃到300埃之间。
3.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，所述氮化钽层的原始厚度在500埃到1500埃之间，所述氮化钽层的最终厚度在300埃到1300埃之间。
4.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围在2000埃到3000埃之间。
5.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层是通过化学气相沉积工艺形成的。
6.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，所述镍铁层和氮化钽层均是通过物理气相沉积工艺形成的。
7.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，对所述氮化硅层进行刻蚀采用反应离子刻蚀工艺。
8.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，对所述氮化钽层进行刻蚀的刻蚀工艺仅用物理方法。
9.如权利要求8所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，对所述氮化钽层进行刻蚀采用离子束刻蚀工艺，所述离子束刻蚀工艺使用的气体是氩气，所述氩气的流量控制在50SCCM到150SCCM之间。
10.如权利要求1所述的三轴各向异性磁阻的制造方法，其特征在于，所述离子束刻蚀工艺的刻蚀速率为400埃/分钟。
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