[发明专利]封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510189590.1 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097762A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 许寿文;林育锋;刘丞彬;蔡泰成;洪钦华 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，至少包括：
一基板；
至少一发光二极管，以共晶方式设置于所述基板上；以及
至少一齐纳二极管，通过至少一银胶设置于所述基板上。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述齐纳二极管的一第一衬垫及一第二衬垫都通过所述银胶设置于所述基板上并电性连接于所述基板。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述齐纳二极管的所述第一衬垫及所述第二衬垫的材质选自于由锡、金锡、银锡、金及铝所组成的族群。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述齐纳二极管的所述第一衬垫及所述第二衬垫的厚度分别介于80微米至170微米之间。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板上还设置有至少一电性线路，且所述发光二极管与所述齐纳二极管通过所述电性线路而并联连接。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述银胶的厚度介于5微米至85微米之间。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述银胶的粘度介于7000至17000厘泊之间。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述银胶由银及一胶体所构成，且银及所述胶体占所述银胶的重量比例分别介于40％至90％之间。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述齐纳二极管在常温下通过所述银胶而设置于所述基板上。
10.一种封装结构的制备方法，其特征在于，至少包括：
提供一基板；
进行一共晶接合制程，用以将至少一发光二极管设置于所述基板上；以及
在常温下进行一银胶接合制程，用以将至少一齐纳二极管设置于所述基板上。
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