[发明专利]一种室温下吸除硅材料中金属杂质的方法在审
| 申请号： | 201510190748.7 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104882377A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;侯瑞祥;谢兮兮;徐万劲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 室温 材料 金属 杂质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体处理的功率为50～1000W。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体处理的功率为100～750W。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体处理的时间为2～10min。
5.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述金属杂质是过渡金属元素和/或轻金属元素。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过渡金属元素选自下列金属元素的一种或多种：Ti、Cr、Mn、Fe、Ni和Cu。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述轻金属元素选自下列金属元素的一种或多种：Li、Na、Mg、Al、K和Ca。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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