[发明专利]有机发光显示设备在审
申请号: | 201510190808.5 | 申请日: | 2015-04-21 |
公开(公告)号: | CN105047685A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 崔文祯;洪性珍;郑一基;尹重先;韩浩范 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年4月23日向韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2014-0048968和2015年3月18日向韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2015-0037346的优先权,通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及有机发光显示设备,尤其涉及在不改变驱动元件的情况下对于每个子像素具有最优孔径的有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备(OLED)不同于液晶显示(LCD)设备,它是一种自发光显示设备,不需要独立的光源,因此,OLED可以被制造得更薄。此外,OLED具有低电压驱动从而耗能少的优点。并且,OLED具有色彩表现力卓越,响应速度快,视角宽和对比度(CR)高的优点。因此,OLED被认为是下一代显示设备。
图1为描述典型的有机发光显示设备的截面图。为了便于解释,图1显示了普通底部发光型有机发光显示设备100的子像素SP的截面。底部发光型有机发光显示设备指的是从有机发光元件发出的光向有机发光显示设备的底部发散的有机发光显示设备。此外,底部发光型有机发光显示设备也指从有机发光元件发出的光向基板底部发散的有机发光显示设备,其中,基板上形成有用于驱动有机发光显示设备的薄膜晶体管。
参照图1,在基板110的驱动区域DA中形成有薄膜晶体管120作为用于驱动有机发光元件130的驱动元件,且形成有用于使薄膜晶体管120和滤色器140的上部平坦化的涂覆层151。在涂覆层151上形成有机发光元件130,其具有与薄膜晶体管120电连接的阳极131、有机发光层132和阴极133。如果有机发光显示设备100是底部发光型有机发光显示设备,则利用具有高功函数值的透明导电材料形成阳极131,利用具有低功函数值的反射金属材料形成阴极133。有机发光层132是发出白光的有机发光层。从有机发光层132发出的光通过滤色器140,并向上面形成有薄膜晶体管120的基板110的底部发射。堤层152形成在涂覆层151上并限定发光区域EA。
一般而言,有机发光显示设备的一个像素包括多个子像素。各个子像素被配置为发出彼此不同颜色的光。因此,在技术上很重要的一点是,确保每个子像素的孔径比,从而获得每种颜色的最优亮度。本文中,孔径比指的是发光区域占子像素的比例。孔径比的优化与提高有机发光元件的寿命息息相关。
在图1所示的有机发光显示设备100的子像素SP中,从有机发光元件130发出的光不能通过其中形成有驱动元件(例如薄膜晶体管120)的驱动区域DA。因此,很难确保有机发光显示设备中的孔径比。
为了确保有机发光显示设备中的孔径比,可以考虑减小子像素中驱动区域的尺寸的方法。但是,子像素中的驱动区域需要考虑实际产品的特性而优化。因此如果为了减小驱动区域的尺寸而减少布置在驱动区域中的薄膜晶体管或电容器的数量和/或尺寸,则有机发光显示设备的可靠性就会降低。
同时,为了确保有机发光显示设备中的孔径比,可以考虑增大像素的尺寸。但是,有机发光显示设备中的像素尺寸取决于有机发光显示设备的分辨率。具体而言,在高分辨率的有机发光显示设备中,子像素的尺寸非常小。因此,由于像素的尺寸受限于有机发光显示设备的分辨率,因此实际上不可能通过增大像素尺寸来确保孔径比。
发明内容
本发明的发明人发明出一种有机发光显示设备中的新的像素结构,其在不改变驱动区域的情况下对于每个子像素具有最优孔径比,其中有机发光显示设备具有适用于上文所述的分辨率的有限的像素尺寸。
因此,本发明的一个目的是提供一种有机发光显示设备,其能够在不改变驱动区域的尺寸和像素的尺寸的情况下对于像素中包括的各个子像素提供不同的孔径比。
本发明的另一个目的是提供一种有机发光显示设备,其通过确保每个子像素的发光区域的尺寸适用于每个子像素所需的电流,提高可靠性和寿命。
此外,本发明的又一个目的是提供一种有机发光显示设备,其中,考虑到每个子像素中的有机发光元件的效率来确定每个子像素的发光区域的尺寸。
本发明的目的不限于上述目的,从下面的说明书中,上文未提到的其他目的对于所属领域普通技术人员而言也是显而易见的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的