[发明专利]一种实现高密度引脚的引线框架

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种引线框架，尤其涉及一种实现高密度引脚的引线框架。

背景技术

目前，在半导体制造工艺领域，引线框架作为集成电路的芯片载体，是实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成电路中都需要使用引线框架。

在半导体集成电路中，若要实现功率的控制和输出，功率芯片与控制芯片往往需要封装在同一半导体中。一般来说，控制芯片的管脚数量需求较大；功率芯片对管脚的数量无太大需求，其关注的是管脚的散热及高电流承载能力。

现有技术中，引线框架在加工时，要求材料厚度较薄才能顺利的蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，但是引线框架的厚度往往是参考管脚的散热及高电流承载能力进行选定的。如此，控制芯片的管脚数量受到大大限制，往往需要增加另外的引线框或其他的一些电子元器件，以扩展控制芯片的管脚数量，但是势必会增大产品的制造成本和增大产品的体积。

发明内容

本发明的目的在于提出一种实现高密度引脚的引线框架，来解决以上技术问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种实现高密度引脚的引线框架，包括：控制芯片框架和功率芯片框架；

所述控制芯片框架上设置有控制芯片管脚；所述功率芯片框架上设置有功率芯片管脚；

所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。

优选的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为分体结构；

所述控制芯片框架包括用于连接所述功率芯片框架的第一连接端；所述功率芯片框架包括用于连接所述控制芯片框架的第二连接端；

所述第一连接端与所述第二连接端固定连接。

优选的，所述第二连接端设置有凹槽；

所述第一连接端设置于所述凹槽内。

优选的，所述第一连接端通过铆接、粘接或焊接的方式与所述第二连接端固定连接。

优选的，所述控制芯片框架的厚度比所述功率芯片框架的厚度小0.1-0.4毫米。

优选的，所述控制芯片框架的厚度为0.1-0.9毫米。

优选的，所述控制芯片框架的厚度为0.2毫米,所述功率芯片框架的厚度为0.5毫米。

优选的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架为一体结构。

本发明的有益效果：引线框架的控制芯片框架部分和功率芯片框架部分选用不同厚度的材料，其中，控制芯片框架采用较薄的材料，以利于蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，功率芯片框架采用较厚的材料，以增强散热及高电流承载的能力，如此，既能满足控制芯片的多管脚需求，也能实现功率芯片管脚的散热及高电流承载的能力。

附图说明

图1为本发明实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的正视图。

图2为本发明实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的一种结构的侧视图。

图3为本发明实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的另一种结构的侧视图。

图4为本发明实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的又一种结构的侧视图。

图中：10、控制芯片框架；20、功率芯片框架；11、控制芯片管脚；12、控制芯片底座；21、功率芯片管脚；22、功率芯片底座；23、凹槽。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

请参考图1，图1为本发明实施例提供的实现高密度引脚的引线框架的正视图，该引线框架包括：控制芯片框架10和功率芯片框架20。

控制芯片框架10上设置有控制芯片管脚11和控制芯片底座12；功率芯片框架20上设置有功率芯片管脚21和功率芯片底座22。其中，控制芯片框架10的厚度小于功率芯片框架20的厚度。

控制芯片框架10采用较薄的材料，以利于蚀刻或冲压出高密度排列的管脚，功率芯片框架20采用较厚的材料，以增强散热及高电流承载的能力，如此，既能满足控制芯片的多管脚需求，也能实现功率芯片管脚的散热及高电流承载的能力。

具体的，控制芯片框架10和功率芯片框架20可采用分体结构，也可采用一体结构。