[发明专利]二氧化硅无氧氯化酸萃处理方法及装置

权利要求书

1.一种二氧化硅无氧氯化酸萃装置，其特征在于：包括立式氯化反应炉、酸萃槽和比重分离槽；酸萃槽通过出料管与立式氯化反应炉的出料口相连，所述比重分离槽设在酸萃槽下方；所述立式氯化反应炉设有壳体，壳体内设有充满磁场的耐腐蚀炉体，在壳体与炉体之间设有保温层，所述炉体的顶端设有出气口和进料口，进料口上设有插入到炉体内的进料管，炉体的底端连接有出料管，炉体的下侧部设有进气口，进气口上连接有进气管，进气管盘绕在炉体外壁上；在炉体的中部、沿炉体轴向、炉壁向炉内凹陷构成若干个上大下小的圆锥台，圆锥台上下相连，由下向上圆锥台的底面直径逐渐变小，最下面的圆锥台的底面直径与炉体直径比为1:1.3-2.5，最上面的圆锥台的底面直径与炉体直径比为1:1.6-6。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅无氧氯化酸萃装置，其特征在于：所述圆锥台设有4-8个  ，圆锥台的总高度为1800-3000mm,所述炉体的直径为120-260cm。

3.根据权利要求2所述的二氧化硅无氧氯化酸萃装置，其特征在于：所述圆锥台设有6个，由下向上圆锥台的底面直径比依次为3.5:3:2.5:2:1.5:1。

4.根据权利要求1所述的二氧化硅无氧氯化酸萃装置，其特征在于：所述炉体顶部的出气口上连接有出气管，出气管与喷射泵相连，在出气口与喷射泵之间的出气管上设有气体冷却器。

5.根据权利要求1所述的二氧化硅无氧氯化酸萃装置，其特征在于：所述进料管的出口端设在最上端圆锥台的顶面处。

6.一种基于权利要求1-5任一项所述的二氧化硅无氧氯化酸萃装置的处理方法，其特征在于，其步骤如下：将SiO₂颗粒通过进料管加入到立式氯化反应炉的炉体中；后对SiO₂颗粒进行预热，使其温度达到1000℃-1200℃，然后从氯化反应炉的底部进气管通入温度为500℃-1500℃的氯化气体进行无氧氯化反应，氯化反应时间为60-100分钟；氯化反应结束后，出料，使SiO₂颗粒落入酸萃槽中进行酸萃处理，后进入比重分离槽中进行浮选，去除杂质，即可。

7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于：对SiO₂颗粒进行预热，使其温度达到1100℃，从氯化反应炉的底部进气管通入温度为800-1200℃的氯化气体进行无氧氯化反应，氯化反应时间为80分钟。