[发明专利]一次性纳米电致化学发光双组份免疫传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510192041.X 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN104865240B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 刘璇;姜晖;赵伟;王念跃 申请(专利权)人: 南京市第二医院
主分类号: G01N21/76 分类号: G01N21/76;G01N21/66;G01N33/68
代理公司: 32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 冯慧<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一次性 纳米 化学 发光 双组份 免疫 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一次性纳米电致化学发光双组份免疫传感器,其特征在于,为三电极结构,Ag/AgCl或饱和甘汞电极作为参比电极,Pt电极作为辅助电极,以背靠背放置的两片经过修饰而特异性识别两种组份的ITO导电玻璃作为双组份免疫传感器的工作电极;所述的工作电极为背靠背的两片ITO导电玻璃,两片ITO导电玻璃的表面分别由DMSA-CdTe QDs溶液和TiO2-GSH-CdTe QDs复合物悬浊液涂覆并晾干形成的均匀发光体薄膜,在发光体薄膜上再覆盖壳聚糖薄膜,然后再依次以链霉亲和素、AFP和AFP-L3抗体修饰薄膜,以BSA封闭裸露的壳聚糖薄膜,待测对象AFP和AFP-L3抗原通过抗原抗体特异性反应分别交联到各自特异性识别的ITO玻璃表面,最后与辣根过氧化物酶标记的AFP和AFP-L3抗体交联获得双组份免疫传感器工作电极。

2.如权利要求1所述的一次性纳米电致化学发光双组份免疫传感器,其特征在于,所述的工作电极的制备方法为:

第一步:制备DMSA-CdTe QDs和GSH-CdTe QDs:通过CdCl2作为前驱体提供Cd源,NaBH4与Te粉反应得到的NaHTe作为前驱体提供Te源,在保护剂DMSA或GSH存在的水体系中,一步法合成获得DMSA-CdTe QDs或GSH-CdTe QDs;离心浓缩纯化;GSH-CdTe QDs与锐钛矿型TiO2纳米粒子超声获得TiO2-GSH-CdTe QDs复合物;

第二步:制备发光体薄膜:将DMSA-CdTe QDs溶液和TiO2-GSH-CdTe QDs复合物悬浊液分别滴涂在两片ITO电极表面,室温晾干,获得均匀发光体薄膜;

第三步:制备壳聚糖薄膜:在发光体薄膜上分别覆盖壳聚糖溶液,室温晾干;而后使用戊二醛溶液室温活化壳聚糖薄膜;

第四步:链霉亲和素修饰:用洗液慢慢将戊二醛溶液冲洗完全,链酶亲和素滴涂在壳聚糖薄膜表面,室温下反应,而后4 oC下过夜;

第五步:AFP和AFP-L3抗体修饰:用洗液慢慢将剩余链酶亲和素溶液冲洗完全;将生物素标记AFP和AFP-L3抗体分别滴涂在链酶亲和素修饰的薄膜上,37 oC反应;

第六步:BSA封闭:用洗液慢慢将剩余抗体溶液冲洗完全,BSA溶液滴在经AFP和AFP-L3抗体修饰的薄膜表面,封闭裸露的壳聚糖薄膜,37 oC反应;

第七步:AFP和AFP-L3抗原修饰:用洗液慢慢将剩余BSA溶液冲洗完全,将AFP和AFP-L3抗原的溶液分别滴涂在各自特异性识别的ITO电极表面,37 oC反应;

第八步:辣根过氧化物酶修饰的抗体交联:用洗液慢慢将剩余抗原溶液冲洗完全,辣根过氧化物酶修饰的AFP和AFP-L3抗体滴涂到第七步处理好的ITO导电玻璃表面,37 oC反应,用洗液慢慢冲洗完全,将得到的两片ITO导电玻璃背靠背放置,工作面向外得到工作电极。

3.如权利要求2所述的一次性纳米电致化学发光双组份免疫传感器,其特征在于,所述的壳聚糖溶液的质量百分比浓度为0.025%,戊二醛溶液的质量百分比浓度为0.1%,链霉亲和素的浓度为1 mg mL-1,BSA溶液的质量百分比浓度为5%。

4.权利要求1~3任一所述的一次性纳米电致化学发光双组份免疫传感器的制备方法,其特征在于,通过夹心免疫法制备ITO工作电极,具体方法为:

第一步:制备DMSA-CdTe QDs和GSH-CdTe QDs:通过CdCl2作为前驱体提供Cd源,NaBH4与Te粉反应得到的NaHTe作为前驱体提供Te源;离心浓缩纯化;GSH-CdTe QDs与锐钛矿型TiO2纳米粒子(NPs)超声获得TiO2-GSH-CdTe QDs复合物;

第二步:制备发光体薄膜:将DMSA-CdTe QDs溶液和TiO2-GSH-CdTe QDs复合物悬浊液分别滴涂在两片ITO电极表面,室温晾干,获得均匀发光体薄膜;

第三步:制备壳聚糖薄膜:在发光体薄膜上分别覆盖壳聚糖溶液,室温晾干;而后使用戊二醛溶液室温活化壳聚糖薄膜;

第四步:链霉亲和素修饰:用洗液慢慢将戊二醛溶液冲洗完全,链酶亲和素滴涂在壳聚糖薄膜表面,室温下反应,而后4 oC下过夜;

第五步:AFP和AFP-L3抗体修饰:用洗液慢慢将剩余链酶亲和素溶液冲洗完全;将生物素标记AFP和AFP-L3抗体分别滴涂在链酶亲和素修饰的薄膜上,37 oC反应;

第六步:BSA封闭:用洗液慢慢将剩余抗体溶液冲洗完全,BSA溶液滴在经AFP和AFP-L3抗体修饰的薄膜表面,封闭裸露的壳聚糖薄膜,37 oC反应;

第七步:AFP和AFP-L3抗原修饰:用洗液慢慢将剩余BSA溶液冲洗完全,将AFP和AFP-L3抗原的溶液分别滴涂在各自特异性识别的ITO电极表面,37 oC反应;

第八步:辣根过氧化物酶修饰的抗体交联:用洗液慢慢将剩余抗原溶液冲洗完全,辣根过氧化物酶修饰的AFP和AFP-L3抗体滴涂到第七步处理好的ITO导电玻璃表面,37 oC反应,用洗液慢慢冲洗完全,将得到的两片ITO导电玻璃背靠背放置,工作面向外得到工作电极。

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