[发明专利]一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池扩散死层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 表面清洗及织构化、形成掺杂结；

(2) 将步骤(1)得到的硅片在常温下于HF溶液中进行腐蚀，在硅片表面形成多孔硅结构；

所述HF溶液的质量浓度为15~50%，腐蚀时间为15~50分钟；

(3) 清洗步骤(2)得到的硅片，然后在碱液中进行清洗，去除多孔硅结构，清洗温度为20~25℃，清洗时间为5~20秒；

所述碱液的质量浓度0.25~1.5%。

2.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(1)之后，硅片的扩散方块电阻为50~130 Ω/□。

3.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(2)中，硅片在暗室中进行腐蚀，在硅片表面形成多孔硅结构。

4.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(2)得到的多孔硅结构的不均匀度小于10%。

5.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(3)之后，进行酸洗、水洗、甩干。

6.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(3)之后，硅片的扩散方块电阻升高1~20 Ω/□。

7.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述步骤(3)的碱液为KOH溶液。

8.一种多孔硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 将硅片进行表面清洗及织构化、形成掺杂结；

(2) 将步骤(1)得到的硅片在常温下于HF溶液中进行腐蚀，即可在硅片表面形成多孔硅结构；

所述HF溶液的质量浓度为15~50%，腐蚀时间为15~50分钟。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，硅片在暗室中进行腐蚀，在硅片表面形成多孔硅结构。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)得到的多孔硅结构的不均匀度小于10%。