[发明专利]一种基于图像互相关的阵列元件拼接方法有效

专利信息
申请号: 201510193506.3 申请日: 2015-04-23
公开(公告)号: CN104776978B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 母杰;景峰;王逍;李志林;周凯南;曾小明;王晓东;张颖;刘兰琴;朱启华;粟敬钦 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G01M11/00 分类号: G01M11/00
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心51210 代理人: 翟长明,韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 图像 互相 阵列 元件 拼接 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及阵列元件拼接技术领域,具体涉及一种基于图像互相关的阵列元件拼接方法。

背景技术

为了解决光学元件口径约束问题,通常利用多块小口径的元件进行拼接来获取大口径的光学元件。比如:在高功率激光装置中常采用拼接技术来获取大口径的衍射光栅;在天文观测领域,大型望远镜的主镜也通常利用多块子镜组合而成。

若阵列元件理想拼接,则各子元件处于一个理想的平面或曲面上,此时可将它们作为一个大口径的单块元件使用。在阵列元件的拼接过程中,为了消除或减小拼接误差,通常在相邻子元件间安装精密位移传感器来检测拼接误差,并调整子元件的拼接姿态,从而使阵列元件达到预期的拼接状态。Keck望远镜、SALT望远镜、OMEGA EP激光装置和Gekko MII激光装置均采取了上述方式。该方式需要安装多个传感器,使操作对象结构复杂化,另外还需要精确建立拼接误差与传感器间的传递关系,增加了分析的难度,因此需要寻求新的技术途径。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种基于图像互相关的阵列元件拼接方法。

本发明的基于图像互相关的阵列元件拼接方法,其特点是:首先进行标定,采集得到无拼接误差的基准远场图像,然后采集阵列元件存在拼接误差的当前远场图像,计算当前远场图像与基准远场图像的相似度,若该相似度不满足拼接终止条件,则根据该相似度和最优化算法进行计算得到控制信号,通过控制信号调整阵列元件的拼接姿态,调整完成之后再测量当前远场图像,重复上述过程进入下一次循环或结束拼接;若相似度满足拼接终止条件,则直接进入下一次循环或结束拼接。

所述的阵列元件是M×N的矩阵排列方式,有:M≥1,N≥1,MN≥2,M和N为正整数。

所述的拼接误差包含多个变量,不同的拼接元件该拼接误差有所差别。

所述的相似度采用互相关系数法或残差逐次检验法中的一种进行计算。

所述的拼接终止条件由相似度的计算方式决定,采用互相关系数法计算相似度时,拼接终止条件为相似度大于等于阈值;采用残差逐次检验法计算相似度时,拼接终止条件为相似度小于阈值。

所述的阈值根据实际要求的拼接精度确定。

所述的基准远场图像和当前远场图像采用同一个测量系统进行采集。

所述的最优化算法为遗传算法、模拟退火算法、模式提取算法或随机并行梯度下降算法中的一种。

在相似度和最优化算法计算得到的控制信号的作用下,阵列元件的拼接姿态不断进行调整,逐渐逼近预期的拼接状态,使得当前远场图像与基准远场图像越来越接近。

基于图像互相关的阵列元件拼接方法与阵列元件的排列方式无关。

本发明与现有技术相比简单易行,不需要增加额外的传感器,也不需要精确建立拼接误差与传感器间的传递关系,可以在不增加操作对象结构复杂度的情况下消除或减小拼接误差,实现阵列元件的拼接,获取大口径的光学元件。

附图说明

图1为本发明的基于图像互相关的阵列元件拼接方法的流程图;

图2为本发明的3个实施例的阵列元件的排列方式图;

图2(a)为实施例1的1×2排列;

图2(b)为实施例2的1×3排列;

图2(c)为实施例3的2×2排列。

具体实施方式

以下实施例仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制。有关技术领域的人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化、替换和变型,因此同等的技术方案也属于本发明的范畴。

图1为本发明的基于图像互相关的阵列元件拼接方法的流程图,如图1所示,基于图像互相关的阵列元件拼接方法需要预先进行标定,按照通常的实现方式将阵列元件调整至无拼接误差状态,并在系统中保存此远场图像,此远场图像是基准远场图像,为阵列元件存在拼接误差时的重新调整提供参考基准。然后采集阵列元件存在拼接误差的当前远场图像,计算当前远场图像与基准远场图像的相似度。若该相似度不满足拼接终止条件,则根据该相似度和最优化算法进行计算得到控制信号,通过控制信号调整阵列元件的拼接状态,调整完成之后再测量当前远场图像,重复上述过程进入下一次循环或结束拼接;若相似度满足拼接终止条件,则直接进入下一次循环或结束拼接。

所述的阵列元件是M×N的矩阵排列方式,有:M≥1,N≥1,MN≥2,M和N为正整数。

所述的拼接误差包含多个变量,不同的拼接元件该拼接误差有所差别。

所述的相似度采用互相关系数法或残差逐次检验法中的一种进行计算。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心,未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510193506.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top