[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

一个或更多个内部电路；

非易失性存储器电路，具有适用于储存用于所述非易失性存储器电路自身的操作的第一数据的第一区域和适用于储存用于所述内部电路的第二数据的第二区域；

第一寄存器，适用于暂时储存从所述非易失性存储器电路传送来且用于优化所述非易失性存储器电路的所述第一数据；

一个或更多个第二寄存器，适用于暂时储存从所述非易失性存储器电路传送来且用于所述一个或更多个内部电路的操作的所述第二数据；以及

控制电路，适用于：当启动操作被执行时，控制所述非易失性存储器电路将所述第一数据传送至所述第一寄存器，以及所述第一数据被传送至所述第一寄存器而所述非易失性存储器电路被优化之后，控制所述非易失性存储器电路将所述第二数据传送至所述第二寄存器。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中从所述第一区域到所述第一寄存器的第一启动操作相比于从所述第二区域到所述第二寄存器的第二启动操作而以更低的速度执行。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括振荡信号供应电路，所述振荡信号供应电路适用于将振荡信号供应给所述非易失性存储器电路和所述控制电路用于其同步操作，

其中，相比于执行所述第二启动操作时，执行所述第一启动操作时所述振荡信号具有更低频率。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中用于包括在所述非易失性存储器电路中的所述第一区域的读取操作的第一读取电压相比于用于包括在所述非易失性存储器电路中的所述第二区域的读取操作的第二读取电压而具有较高电压电平。

5.如权利要求4所述的半导体器件，还包括电压供应电路，所述电压供应电路适用于将所述第一读取电压和所述第二读取电压供应至所述非易失性存储器电路。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述内部电路包括存储体，以及

所述第二数据包括用于所述存储体的修复信息。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述内部电路还包括设置电路，以及

所述第二数据还包括用于所述设置电路的设置信息。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述非易失性存储器电路包括电熔丝阵列电路。

9.一种半导体器件，包括：

一个或更多个内部电路；

非易失性存储器电路，具有适用于储存用于所述非易失性存储器电路自身的操作的第一数据的第一区域、适用于储存与所述第一数据相同的数据的第二区域、和适用于储存用于所述内部电路的第二数据的第三区域；

第一寄存器，适用于暂时储存从所述非易失性存储器电路传送来且用于优化所述非易失性存储器电路的所述第一数据；

一个或更多个第二寄存器，适用于暂时储存从所述非易失性存储器电路传送来且用于所述一个或更多个内部电路的操作的所述第二数据；以及

控制电路，适用于：当启动操作被执行时，控制所述非易失性存储器电路将所述第一数据传送至所述第一寄存器，以及所述第一数据被传送至所述第一寄存器而所述非易失性存储器电路被优化之后，控制所述非易失性存储器电路将所述第二数据传送至所述第二寄存器，

其中，第一读取操作是同时对所述第一区域和所述第二区域执行的，且从所述第一区域读取的数据和从所述第二区域读取的数据用以产生对应于所述第一数据的读取数据。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，当所述第一区域的读取数据和所述第二区域的读取数据中有一个或更多个读取数据是编程数据时，与所述第一数据相对应的读取数据被产生作为编程数据，且当所述第一区域的读取数据和所述第二区域的读取数据是非编程数据时，与所述第一数据相对应的读取数据被产生作为非编程数据。