[发明专利]宇航用LVDS传输电缆及其制备方法

权利要求书

1.宇航用LVDS传输电缆，其特征是包括导体（1）、绝缘（2）、裸接地线(3)、填充芯(4)、屏蔽(5)、护套（6），其中导体（1）的外围是绝缘层（2）；绝缘层（2）的外围是裸接地线(3)；裸接地线(3) 的外围是填充芯(4)；填充芯(4) 的外围是屏蔽(5)；屏蔽(5) 的外围是护套（6）。

2.如权利要求1的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是包括如下工艺：

1）用电线电缆绞线机绞合镀银铜合金绞线作为导体；

2）在导体外用绕包机绕包微孔聚四氟乙烯PTFE带作为绝缘层；

3）用电线电缆绞线机束绞微孔聚四氟乙烯PTFE带作为填充芯；

4）用电线电缆绞线机绞合镀银铜合金绞线作为裸接地线；

5）用成缆机把绝缘层的绝缘线芯、填充芯和裸接地线绞合在一起；

6）材料为镀银圆铜线，采用编织机编织屏蔽层；

7）采用高温挤塑机薄壁挤出可熔性聚四氟乙烯PFA作为护套。

3.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的导体（1）为同心式绞合的镀银铜合金绞线，强度高、抗拉力大。

4.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的绝缘层（2）采用微孔聚四氟乙烯PTFE带绕包，材料密度低，衰减小，重量轻、耐温-100℃～+250℃。

5.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的裸接地线（3）采用同心式绞合的镀银铜合金绞线，强度高、抗拉力大。

6.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的填充芯（4）采用微孔聚四氟乙烯PTFE带束绞，材料密度低，重量轻、耐温-100℃～+250℃。

7.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的屏蔽层（5）采镀银圆铜线编织。

8.根据权利要求2所述的宇航用LVDS传输电缆的制备方法，其特征是在所述的护套层（6）采用可熔性聚四氟乙烯PFA，材料挤塑厚度薄、机械强度高、外径小、重量轻，耐温-100℃～+250℃。