[发明专利]一种抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法

权利要求书

1.一种抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由氟气、氧气和氮气组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应2-20min，反应温度为18-200℃；所述的混合气体，以体积比计：氟气1-20%、氧气1-20%，余量为氮气；所述通入的混合气体的压气为0.05-0.55 MPa。

2.根据权利要求1所述的抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由体积计的：氟气7.5%、氧气2.5%和氮气90%组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应2-5min，反应温度为50-100℃；所述通入的混合气体的压气为0.05-0.15MPa。

3.根据权利要求1所述的抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由体积计的：氟气5%、氧气1%和氮气94%组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应2min，反应温度为55℃；所述通入的混合气体的压气为0.05MPa。

4.根据权利要求1所述的抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由体积计的：氟气7%、氧气3%和氮气90%组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应3min，反应温度为70℃；所述通入的混合气体的压气为0.09MPa。

5.根据权利要求1所述的抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由体积计的：氟气8%、氧气4%和氮气88%组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应4min，反应温度为85℃；所述通入的混合气体的压气为0.12MPa。

6.根据权利要求1所述的抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由体积计的：氟气10%、氧气5%和氮气85%组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应5min，反应温度为100℃；所述通入的混合气体的压气为0.15MPa。