[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201510195283.4 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN104795405B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 冯博;马禹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:多个在基板上呈矩阵排列的像素单元,每个所述像素单元分别连接两条栅线和一条数据线,每个所述像素单元包括两个子像素,每个所述子像素分别连接相对应的栅线和数据线,相邻两行之间的像素单元设有两条栅线;相邻两列像素单元设有一条数据线;
其特征在于,所述像素单元包括设置在基板上的第三公共电极,与栅线同层设置的第二公共电极,与源漏极金属层同层设置的第一公共电极;其中:所述第二公共电极设置在所述第三公共电极上且直接电连接,所述第一公共电极、所述第二公共电极之间电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极包括:与所述栅线平行设置的位于同列相邻行像素单元之间的第一部分;和位于像素单元的两个子像素之间的与所述数据线平行的第二部分;所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括:设置于所述源漏极金属层上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的导电层,所述导电层通过与所述第一公共电极的第二部分对应的位于第一绝缘层的第三过孔的第一部分,和与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第二过孔将所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第三过孔的第一部分位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第二部分的端部对应的位置;所述第二过孔位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第一部分与所述第二部分的端部对应的位置相对应位置。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,同行相邻列的像素单元的第一公共电极通过与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第一过孔电连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述的第一过孔位于所述第一绝缘层的与所述第一公共电极的第一部分的端部对应的位置。
7.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括:与栅线同层制作的第二公共电极,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板的方向上的投影部分重合;
所述第二公共电极与所述的第一公共电极电连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线与所述源漏极金属层之间设有第二绝缘层;所述第三过孔包括贯穿所述源漏极金属层和第二绝缘层的第二部分和第三部分,所述导电层通过第三过孔将所述第一公共电极的第一部分、第二部分和第二公共电极电连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板方向上的投影重合。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板上通过构图工艺形成第三公共电极的图形;
在形成第三公共电极图形的基板上通过构图工艺形成栅极、栅线和第二公共电极的图形;
在形成栅极、栅线和第二公共电极的图形的基板上通过构图工艺形成第二绝缘层的图形,及第三过孔位于第二绝缘层的第三部分的图形;
在形成第二绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成有源层的图形;
在形成有源层的图形的基板上通过构图工艺形成源漏极、数据线和第一公共电极的图形,及第三过孔位于源漏极金属层的第二部分的图形;
在形成源漏极的图形的基板上通过构图工艺形成的第一绝缘层的图形、第三过孔位于第一绝缘层的第一部分的图形、第一过孔和第二过孔的图形;
在形成第一绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成的导电层的图形,所述导电层通过第一过孔、第二过孔、第三过孔将像素单元及相邻像素单元的第一公共电极和第二公共电极连接。
11.一种显示装置,其特征在于包括如权1-9一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的